[发明专利]一种非对称高压MOS器件的双端应用方法有效
| 申请号： | 201310714281.2 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103731125A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王瑛;王宗民;周亮;张铁良;李媛红 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 高压 mos 器件 应用 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非对称高压MOS器件的双端应用方法，其特征在于，包括以下步骤:
（1）将两个非对称高压MOS器件各自的源端与衬底端连接；以及
（2）将这两个非对称高压MOS器件采取背靠背连接的方式进行串接。
2.根据权利要求1所述的非对称高压MOS器件的双端应用方法，其特征在于，所述步骤（2）中的背靠背连接的方式为将两个非对称高压MOS器件的源端连接在一起。
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