[发明专利]用于操作电力整流器的方法以及电力整流器

权利要求书

1.一种用于操作电力整流器(10)的方法，其中所述电力整流器(10)包括彼此并联连接的至少两条支线(11、12、13)，所述支线中的每条支线包括串联连接的至少两个功率半导体元件，并且检测所述功率半导体元件中的至少一个的集电极-发射极电压Vce(t)和/或集电极电流Ic(t)；

确定是否满足以下条件中的至少一个：dVce(t)/dt＜(dVce/dt)_crit和/或dIc(t)/dt＜(dIc/dt)_crit和/或Ic(t_ent+Δt)＜Ic_crit，其中，t_ent是IGBT开始去饱和的时间，并且Δt是可预先设定的延时，(dVce/dt)_crit、(dIc/dt)_crit和Ic_crit分别为dVce/dt、dIc/dt和Ic的临界值，并且如果满足上述条件中的至少一个，那么所述功率半导体元件中的至少一个的栅极-发射极电压增大。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述功率半导体元件接近去饱和时确定是否已经满足所述条件dVce(t)/dt＜(dVce/dt)_crit和/或dIc(t)/dt＜(dIc/dt)_crit。

3.如权利要求1所述的方法，其中(dVce/dt)_crit、(dIc/dt)_crit和/或Ic_crit的值为预先设定的，如此当连接到所述电力整流器(10)的负载(17)上存在负载短路时，未达到所述值中的至少一个。

4.如权利要求3所述的方法，其中在负载短路情况下，借助所述栅极-发射极电压增大而实现短路电流对称。

5.如前述权利要求中的任一项权利要求所述的方法，其中所述栅极-发射极电压的所述增大至少大到足以防止受影响的功率半导体元件去饱和。

6.如权利要求1-4中的任一项权利要求所述的方法，其中借助检测短路来检测缺陷功率半导体元件，并且其中确定所述支线(11、12、13)中的哪条支线中存在所述缺陷功率半导体元件。

7.如权利要求6所述的方法，其中在所述电力整流器(10)的其他支线中的所述功率半导体元件上，所述栅极-发射极电压增大。

8.如权利要求6所述的方法，其中确定在受影响的支线(11、12、13)的所述至少两个功率半导体元件中哪个功率半导体元件存在缺陷，并且其中在其他支线中的对应功率半导体元件上，所述栅极-发射极电压增大。

9.一种电力整流器(10)，其包括彼此并联连接的至少两条支线(11、12、13)，所述支线中的每条支线包括串联连接的至少两个功率半导体元件以及用于激活所述功率半导体元件的控制装置；

其中所述控制装置设计用于执行如前述权利要求中的任一项权利要求所述的方法。

10.如权利要求9所述的电力整流器(10)，其中设有功率半导体元件，具体来说是可切断的IGBT(14′、14″)。

11.如权利要求9或10所述的电力整流器(10)，其中在所述功率半导体元件中的至少一个的所述集电极与所述栅极之间，连接有开关(32)和电路(33)，借助所述开关(32)和所述电路(33)可使所述功率半导体元件的所述栅极-发射极电压增大。

12.如权利要求11所述的电力整流器(10)，其中所述电路(33)包括二极管(35)。

13.如权利要求11所述的电力整流器(10)，其中所述电路(33)还包括偏移电压源(37)。