[发明专利]改善嵌入式管芯封装中管芯背膜上激光标记对比度的方法有效

专利信息
申请号: 201310713691.5 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103887281B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: M·A·奥卡;R·N·马内帕利;D·徐;Y·金冈;S·L·沃伦诺夫;D·H·孙 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 改善 嵌入式 管芯 封装 背膜上 激光 标记 对比度 方法
【说明书】:

技术领域

用于微电子设备的封装。

相关技术描述

包括将硅管芯(例如,微处理器)通过机械或电子方式附着到衬底或其他载具的方法在内的微电子封装技术继续得到改进和改善。无焊点叠层(BBUL)技术是封装体系结构的一种方法。除了其优点之外,BBUL还消除了对装配的需要,消除了先前的焊球互连(例如,倒装芯片互连),减少了由于管芯-衬底的热膨胀系数(CTE失配)引起的对管芯的低k电介质的应力,并通过消除核心和倒装芯片互连减少了封装电感,以便得到改善的输入/输出(I/O)和电源传输性能。

诸如移动电话、个人数字助理和数码相机等的便携式电子设备正变得越来越紧凑,同时它们的功能还在增加。对处理能力方面的更多功能的需求以及对更小的集成电路封装外形的需求已经带动装配件技术走进了这样的电子设备。示例包括倒装芯片或直接芯片附着。嵌入式管芯封装(例如,BBUL封装)是提供超过倒装芯片或直接芯片附着技术的多种优点的封装技术。这样的优点包括成本、z高度、改善的焊点管脚间距可缩放性和x、y形状因子的减少。

便携式电子设备的生产商和消费者期望设备中使用的芯片或封装包含诸如公司徽标、管脚定向、制造历史(例如批号、时间/日期跟踪能力等等)等的识别标记,以便可以识别具体的芯片和/或封装。传统上,借助于晶片形成中的激光标记,识别标记被放置在外部封装上。设备的小型化使得传统封装消失,且给传统的识别标记留下很少的空间。

管芯背面膜被用于封装技术,包括与移动电话和平板平台相关的封装技术。这些膜提供多种功能性,例如管芯破裂保护以及用于单元级识别的激光可标记表面。为了在管芯背面膜上提供质量识别标记,标记应是可读的。这在制造厂中提供了最高舒适水平,这因为如果需要的话总是在生产车间得到检验。对于可读的识别标记,人类和机器视觉系统两者均要求合适水平的对比度。在诸如BBUL等的管芯嵌入式封装技术中,在衬底构建之前,使用管芯背面膜来将管芯结合到面板。然而,已经发现,在裁切(depaneling)之后并将封装与牺牲芯隔离开来之后,主要是由于在BBUL封装的装配期间所使用的热机械处理操作,管芯背面膜表面不再是合适的激光可标记表面。结果,不存在用于维护BBUL封装中的单元水平识别的可用策略。

附图说明

图1示出包括被嵌入在层叠载具中的管芯的微电子封装的一部分的一种实施方式的剖视图。

图2示出带有附加到其相对侧的牺牲铜箔的牺牲衬底的剖面分解侧视图。

图3示出在形成载具的一个部分的工艺中在铜箔上引入接触且在该接触上引入电介质层之后图2的结构。

图4示出在图3的结构的相对侧上引入管芯之后图3的结构。

图5示出在管芯上引入电介质材料之后图4的结构。

图6示出在电介质层中开启通孔之后图5的结构。

图7示出在通孔中引入导电材料并图案化电介质上的导电层或导电线之后图6的结构。

图8示出在图7的结构的相对侧上引入相继的电介质材料层和导电材料层(第二层)之后图7的结构。

图9示出在图8的结构的相对侧上引入相继的电介质材料层和导电材料层(第三层和第四层)之后图8的结构,其中最终导电材料层由焊垫或焊盘以及在最终的导电材料层上引入的电介质材料界定。

图10示出在图9的结构的相对侧上形成到最终导电材料层的各个焊盘或连接盘的开口之后图9的结构。

图11示出在将图10的结构分隔成单个封装且经历电磁辐射标记工艺之后图10的结构。

图12阐释计算设备的示意图。

具体实施方式

图1示出根据一种实施方式的微电子封装的剖视图。正如图1所阐释的,微电子封装100利用无凸点叠层(BBUL)技术。微电子封装100包括载具120(层叠载具)和管芯110,该管芯110(微处理器管芯等)以器件侧向下地嵌入在载具120中(如图所示)。管芯110和载具120彼此处于直接物理接触(例如,不存在将管芯110连接到载具120的焊接凸点)。

在一种实施方式中,管芯110是具有大约150微米(μm)厚度的硅管芯或类似物。在另一示例中,管芯110可以是具有少于150μm(例如从50μm到150μm)的厚度的硅管芯或类似物。应明白,管芯110的其他厚度是可能的。在另一实施方式中,管芯110可以是带有管芯110的背面上的接触的穿硅通孔(TSV)管芯。

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