[发明专利]栅极的形成方法

权利要求书

1.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成硬掩模层，所述硬掩模层具有对应栅极形状的多个条状图形；

在所述硬掩模层上依次形成有机抗蚀剂层以及有机抗反射材料层；

对所述有机抗反射材料层进行第一刻蚀，在有机抗反射材料层中形成露出所述有机抗蚀剂层的开口，所述开口横跨硬掩模层中的至少一个条状图形；

对所述开口露出的有机抗蚀剂层进行第二刻蚀，去除所述开口下方的有机抗蚀剂层，直至露出条状图形的顶部；所述第二刻蚀包括依次进行的第一干法刻蚀、第二干法刻蚀，所述第一干法刻蚀采用包括甲烷的混合气体；

去除所述开口露出的硬掩模层，使所述条状图形断开，以形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模，图形化所述多晶硅层，去除硬掩模图形露出的多晶硅层部分同时保留硬掩模图形下方的多晶硅层部分，以形成栅极。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一干法刻蚀的步骤中，甲烷的流量在2标况毫升每分到20标况毫升每分的范围内。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一干法刻蚀的步骤中，所述混合气体还包括氧气、氮气，其中氧气的流量在2标况毫升每分到20标况毫升每分的范围内，氮气的流量在5标况毫升每分到100标况毫升每分的范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一干法刻蚀的步骤中，刻蚀机的功率在100瓦到1000瓦的范围内，刻蚀腔体内的气压在2毫托到20毫托的范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二干法刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括氯气，氯气的流量在10标况毫升每分到100标况毫升每分的范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二干法刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括溴化氢，溴化氢的流量在10标况毫升每分到100标况毫升每分的范围内。

7.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，在所述第二干法刻蚀的步骤中，刻蚀气体还包括氧气，氧气的流量在2标况毫升每分到50标况毫升每分的范围内。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二干法刻蚀的步骤中，刻蚀机的功率在100瓦到1000瓦的范围内，刻蚀腔体内的气压在2毫托到20毫托的范围内。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在对有机抗蚀剂层进行刻蚀的过程中，所述第一干法刻蚀的刻蚀量占对有机抗蚀剂层刻蚀量的70%到90%。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在对有机抗蚀剂层进行刻蚀的过程中，所述第二干法刻蚀的刻蚀量占对有机抗蚀剂层刻蚀量的10%到30%。