[发明专利]一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法

权利要求书

1.一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括如下步骤：

步骤1：在LED外延片上，通过芯片工艺制作LED的单元器件；单元器件之间存在隔离槽，相互隔离；

步骤2：选择单元器件阵列的部分，在其上制作金属层，作为键合时的中间金属层；制作有中间金属层的单元器件阵列构成待键合单元器件阵列，所述的中间金属层是Au层或者AuSn合金层，厚度为1-3微米；

步骤3：在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应；

步骤4：通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；

步骤5：采用激光剥离的方式，对选择剥离的LED单元器件依次进行剥离，使得外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列，完成LED芯片转移。

2.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤1中所述的LED外延片是以蓝宝石为衬底的GaN基外延片。

3.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤1中所述的芯片工艺包括光刻、清洗、刻蚀、电极制作、钝化、磨抛。

4.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤2中所述的中间金属层只制作在待键合单元器件的p、n电极上。

5.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤3中所述的基板为一导热性良好的材料。

6.如权利要求5所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤3中所述的基板为硅基板或陶瓷基板。

7.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：在步骤3中所述的基板中制作有导电通孔，使基板正面和底面的相对金属图形互联。

8.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤3中所述的金属图案与待键合单元器件阵列相对应，所述金属图案的金属是Au层或者AuSn合金层，厚度为0.1-3微米。

9.如权利要求1所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤3中所述的金属图案下面存在导热通道，该导热通道贯穿基板，实现基板正面金属图案与背面金属焊盘电连接。

10.如权利要求9所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，其特征在于：步骤3中所述的导热通道的填充物是铜或其他材料。

11.如权利要求1-10任一所述的用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法制造得到的晶圆级封装芯片。

12.一种LED灯的制造方法，先通过如权利要求1-11任一所述的方法制造用于LED的晶圆级封装的芯片，再继续完成涂敷荧光粉、制作透镜以及切割工序后得到LED灯。

13.如权利要求12所述的LED灯的制造方法制造得到的LED灯。