[发明专利]有机发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光装置，更具体地，涉及有机发光装置的钝化层。

背景技术

虽然液晶显示装置已经广泛用作平板显示装置，但是液晶显示装置需要背光作为单独的光源并且在亮度和对比度方面具有技术局限性。就这一点而言，已经增加了对亮度和对比度比较优秀的有机发光装置的关注。

有机发光装置具有在阴极与阳极之间插入发光层的结构，其中，阴极中产生电子，并且阳极中产生空穴。如果阴极中产生的电子和阳极中产生的空穴被注入到发光层中，则通过所注入的电子和空穴的复合产生激发子，然后所产生的激发子从被激发状态改变为基态，借此发出光。这样，有机发光装置显示图像图像。

下文中，将参照附图描述根据相关技术的有机发光装置。

图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图。

如图1所示，相关技术的有机发光装置包括第一基板10、发光装置层20、钝化层30、粘合层40和第二基板50。

发光装置层20形成在第一基板10上。发光装置层20包括形成在第一基板10上的薄膜晶体管层21和形成在薄膜晶体管层21上的发光二极管层22。

钝化层30形成在发光装置层20上。钝化层30用于防止水渗透到发光装置层20中。该钝化层30包括诸如SiNx等的无机绝缘膜。

粘合层40形成在钝化层30上。粘合层40用于将基板50粘合到钝化层30上。

第二基板50形成在粘合层40上，并且用于保护有机发光装置不受外部影响。

相关技术的上述有机发光装置具有以下问题。

可以通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或溅射来沉积用作钝化层的诸如SiNx等的无机绝缘膜。如果利用溅射法来沉积无机绝缘膜，则可能损坏构成发光二极管层22的有机发光层。因此，主要利用PECVD法来沉积无机绝缘膜。

而且，如果利用PECVD法来沉积无机绝缘膜，则应当在小于有机发光层的玻璃转换温度Tg的温度执行沉积工序。因此，在100℃或更低的温度下，针对无机绝缘膜执行沉积工序。同时，通过这种沉积工序获得的无机绝缘膜含有从诸如SiH₄和NH₃等的源气分解的大量氢（H）。

如上所述，根据相关技术的发光装置，钝化层30含有大量H。如果钝化层30含有大量H，则H随着时间流逝向下移动，借此H可以被扩散到薄膜晶体管层21的有源层中。这样，如果H被扩散到有源层中，则H使构成有源层的半导体氧化，借此改变了薄膜晶体管的阈值电压。因此，出现了所显示的图像质量劣化的问题。

发明内容

因此，本发明致力于提供一种有机发光装置，该有机发光装置能够基本解决由于相关技术的限制和缺陷而引起的一个或更多问题。

本发明的优点是提供一种降低钝化层中含有的H含量、以最小化扩散到薄膜晶体管的有源层中的H量，从而提高图像质量的有机发光装置。

本发明的附加优点和特征将在下面的描述中部分地得到描述，并且，在某种程度上，对于阅读下面内容的本领域普通技术人员将变得明确，或者可以通过本发明的实践来得到了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文具体实施和广泛描述的，根据本发明的有机发光装置包括第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；以及钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。

应该理解，对本发明的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

包括附图来提供对本发明的进一步理解，附图被结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图；

图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的简要截面图；

图3的（a）至图3的（c）是例示根据本发明的多个实施方式的钝化层的截面图；以及

图4是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的薄膜晶体管层的详细截面图。

具体实施方式