[发明专利]一种高转换效率的双向直流变换器无效

专利信息
申请号: 201310711766.6 申请日: 2013-12-19
公开(公告)号: CN103731039A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 史永胜;王喜锋;胡双;刘言新;宁青菊 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 转换 效率 双向 直流 变换器
【权利要求书】:

1.一种高转换效率的双向直流变换器,其特征在于:包括高压端、低压端、高压端整流电路、低压端整理电路、DSC以及变压器(T);其中,高压端与高压端整流电路相连,低压端与低压端整流电路相连,高压端整流电路通过变压器(T)与低压端整理电路相连;DSC的输入端通过采样电路与高压端和低压端相连;DSC的控制输出端上连接有带有若干PWM输出端的驱动电路,驱动电路的PWM输出端与高压端整流电路和低压端整流电路的控制端相连。

2.根据权利要求1所述的高转换效率的双向直流变换器,其特征在于:所述的高压端整流电路包括第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)、高压端电解电容(Cb)以及负载(R);其中,第一MOS管(Q1)的漏极和第三MOS管(Q3)的漏极均与高压端的正极相连,第二MOS管(Q2)的源极和第四MOS管(Q4)的源极均接地;第一MOS管(Q1)的源极与第二MOS管(Q2)的漏极相连,第三MOS管(Q3)的源极与第四MOS管(Q4)的漏极相连;驱动电路的第一PWM输出端与第一MOS管(Q1)的栅极相连,第二PWM输出端与第二MOS管(Q2)的栅极相连,第三PWM输出端与第三MOS管(Q3)的栅极相连,第四PWM输出端与第四MOS管(Q4)的栅极相连;负载(R)的一端和高压端电解电容(Cb)的正极均与高压端的正极相连,负载(R)的另一端以及高压端电解电容(Cb)的负极均接地;

第一MOS管(Q1)的漏极与源极上并联有第一二极管(D1),且第一二极管(D1)的阳极与第一MOS管(Q1)的源极相连,阴极与第一MOS管(Q1)的漏极相连,第一二极管(D1)的两端还并联有第一电容(C1);第二MOS管(Q2)的漏极与源极上并联有第二二极管(D2),且第二二极管(D2)的阳极与第二MOS管(Q2)的源极相连,阴极与第二MOS管(Q2)的漏极相连,第二二极管(D2)的两端还并联有第二电容(C2);第三MOS管(Q3)的漏极与源极上并联有第三二极管(D3),且第三二极管(D3)的阳极与第三MOS管(Q3)的源极相连,阴极与第三MOS管(Q3)的漏极相连,第三二极管(D3)的两端还并联有第三电容(C3);第四MOS管(Q4)的漏极与源极上并联有第四二极管(D4),且第四二极管(D4)的阳极与第四MOS管(Q4)的源极相连,阴极与第四MOS管(Q4)的漏极相连,第四二极管(D4)的两端还并联有第四电容(C4)。

3.根据权利要求2所述的高转换效率的双向直流变换器,其特征在于:所述的低压端整流电路包括第五MOS管(Q5)、第六MOS管(Q6)、第七MOS管(Q7)、第八MOS管(Q8)以及低压端电解电容(Cf);其中,第五MOS管(Q5)的漏极和第七MOS管(Q7)的漏极均与低压端的正极相连,第六MOS管(Q6)的源极和第八MOS管(Q8)的源极均接地;第五MOS管(Q5)的源极与第六MOS管(Q6)的漏极相连,第七MOS管(Q7)的源极与第八MOS管(Q8)的漏极相连;驱动电路的第五PWM输出端与第五MOS管(Q5)的栅极相连,第六PWM输出端与第六MOS管(Q6)的栅极相连,第七PWM输出端与第七MOS管(Q7)的栅极相连,第八PWM输出端与第八MOS管(Q8)的栅极相连;低压端电解电容(Cf)的正极与低压端的正极相连,低压端电解电容(Cf)的负极均接地;

第五MOS管(Q5)的漏极与源极上并联有第五二极管(D5),且第五二极管(D5)的阳极与第五MOS管(Q5)的源极相连,阴极与第五MOS管(Q5)的漏极相连,第五二极管(D5)的两端还并联有第五电容(C5);第六MOS管(Q6)的漏极与源极上并联有第二二极管(D6),且第二二极管(D6)的阳极与第六MOS管(Q6)的源极相连,阴极与第六MOS管(Q6)的漏极相连,第二二极管(D6)的两端还并联有第二电容(C6);第七MOS管(Q7)的漏极与源极上并联有第七二极管(D7),且第七二极管(D7)的阳极与第七MOS管(Q7)的源极相连,阴极与第七MOS管(Q7)的漏极相连,第七二极管(D7)的两端还并联有第七电容(C7);第八MOS管(Q8)的漏极与源极上并联有第八二极管(D8),且第八二极管(D8)的阳极与第八MOS管(Q8)的源极相连,阴极与第八MOS管(Q8)的漏极相连,第八二极管(D8)的两端还并联有第八电容(C8)。

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