[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其制备方法包括：在基板上依次形成栅极和栅线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、数据线、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、公共电极，其中源极、漏极、数据线与第一钝化层过孔在同一次构图工艺中形成。本发明的制备工艺中省去了保护层的制作，优化了制备工艺，缩短了生产周期，避免了倒角不良的缺陷，提升了第一钝化层的透过率，改善了画质亮度，进一步降低了显示装置的使用功耗，同时也减少了成本，提升了量产。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay）的制备领域，阵列基板的基本结构依次为：基板、栅极和栅线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、保护层、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、公共电极。

现有技术中的阵列基板制备过程一般包括如下步骤：

a、制作栅极和栅线：如图1所示，在基板1上沉积金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅极3和栅线2。其中，构图工艺包括如下步骤：沉积薄膜、掩模、刻蚀、剥离。在本次构图工艺中，所采用的金属包括铜（Cu）、钼铝铌（AlNd/Mo）、铝钼（Al/Mo）等。

b、制作栅绝缘层及有源层：如图2所示，在完成步骤a的基板上依次沉积栅绝缘层4薄膜，氮化硅/氧化硅薄膜5、掺杂硅薄膜6，通过第二次构图工艺由非晶硅薄膜5、掺杂硅薄膜6形成有源层，即硅岛图案。

c、制作栅绝缘层过孔：如图3所示，在完成步骤b的基板上通过第三次构图工艺，在基板的栅线2的上方，形成栅绝缘层过孔，完成阵列基板行驱动（Gate driver on array,简称GOA，）功能单元的栅绝缘层过孔的制作。

d、制作源极、漏极、沟道：如图4所示，在完成步骤c的基板上沉积金属薄膜，在所沉积的金属薄膜上通过第四次构图工艺在栅极3的上方制作源极7、漏极10，同时在栅线2的上方制作数据线8，其中，本次构图工艺所采用的刻蚀为湿法刻蚀。再将源极7、漏极10的中间位置处的有源层的掺杂硅薄膜刻蚀掉。

e、制作保护层：如图5所示，在完成步骤d的基板上，沉积保护层薄膜，形成保护层14。

f、制作第一钝化层及第一钝化层过孔：如图6所示，在完成步骤e的基板上，涂覆感光树脂材料，经过第五次构图工艺，得到第一钝化层9，同时在漏极10的上方制作第一钝化层过孔。

g、制作保护层过孔：如图7所示，在完成步骤f的基板上，在保护层14上与第一钝化层9过孔相对应的位置处进行刻蚀制作保护层过孔。

h、制作像素电极：如图8所示，在完成步骤g的基板上，沉积第一氧化铟锡透明薄膜，通过第六次构图工艺得到透明的像素电极11。

i、制作第二钝化层及第二钝化层过孔：如图9所示，在完成步骤h的基板上，沉积第二钝化层12薄膜，通过第七次构图工艺在第二钝化层12上与栅绝缘层过孔相对应的位置处制作第二钝化层过孔。

j、制作公共电极：如图10所示，在完成步骤i的基板上，沉积氧化铟锡薄膜，通过第八次构图工艺制作公共电极13。

以上，共需经过八次构图工艺，最终完成阵列基板的制作。这个生产过程工艺复杂，周期长，成本高；制作第一钝化层过孔时，因保护层的氮化硅等材料和感光树脂材料不同，造成横向刻蚀速率不同，很容易造成过孔的倒角不良，从而造成线接触不良而带来显示屏的显示异常和边角发暗等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，以改善阵列基板性能，优化阵列基板的制备工艺。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：