[发明专利]用于半导体器件的测试电路和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一裸片；

第二裸片，所述第二裸片经由穿硅通孔TSV而与所述第一裸片耦接；以及

测试电路，所述测试电路通过控制流经所述TSV的电流量来测量所述TSV的电阻，

其中，所述测试电路包括：

电流源单元，所述电流源单元响应于多个控制信号而供应流经所述TSV的多个可变电流；以及

测量块，所述测量块基于所述多个可变电流而测量所述TSV的电阻,

其中，所述测量块测量所述多个可变电流之中的至少一个电流以及测量经由所述TSV的所述多个可变电流之和，以及基于测得的电流与测得的所述多个可变电流之和之间的差来获得所述TSV的电阻。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述测量块包括：

电流汇聚单元，所述电流汇聚单元响应于所述多个控制信号而产生测量电压，所述测量电压具有依赖于所述多个可变电流的电平；以及

电阻测量单元，所述电阻测量单元基于所述测量电压来测量所述TSV的电阻。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述电阻测量单元包括：

电压测量器，所述电压测量器测量所述测量电压；以及

电流测量器，所述电流测量器将所述测量电压转换成转换电流，并且测量所述转换电流。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电流测量器包括偏移消除器，所述偏移消除器去除所述测量电压的偏移。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述测量块被设置在所述第一裸片中。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电流源单元被设置在所述第二裸片中。

7.一种半导体器件，包括：

第一裸片；

多个第二裸片，每个所述第二裸片经由穿硅通孔TSV而与所述第一裸片耦接；

电流源，所述电流源响应于第一控制信号而供应第一电流，并且响应于第二控制信号而供应第二电流，其中所述第一电流和所述第二电流流经所述TSV，并且所述电流源被设置在每个所述第二裸片中；以及

测量块，所述测量块基于所述第一电流和所述第二电流而测量所述TSV的电阻；

其中，所述测量块测量经由所述TSV的第一电流以及测量经由所述TSV的第一电流和第二电流之和；以及基于测得的第一电流与测得的所述第一电流和所述第二电流之和之间的差来获得所述TSV的电阻，

其中，所述测量块包括：

电流汇聚器，所述电流汇聚器产生测量电压，所述测量电压具有依赖于所述第一电流的电平、或者具有依赖于所述第一电流和所述第二电流两者的电平，其中所述电流汇聚器被设置在所述第一裸片中；以及

电阻测量器，所述电阻测量器基于所述测量电压来测量所述TSV的电阻。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电流汇聚器包括：

第一电流汇聚器，所述第一电流汇聚器响应于所述第一控制信号而产生与所述第一电流相对应的所述测量电压；以及

第二电流汇聚器，所述第二电流汇聚器响应于所述第二控制信号而产生与所述第二电流相对应的所述测量电压。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电阻测量器包括：

电压测量器，所述电压测量器测量所述测量电压；以及

电流测量器，所述电流测量器将所述测量电压转换成转换电流，并且测量所述转换电流。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电流测量器包括偏移消除器，所述偏移消除器用于去除所述测量电压的偏移。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电流汇聚器的数目对应于所述第二裸片的数目。