[发明专利]一种液晶显示屏及显示装置有效
申请号: | 201310704598.8 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103676359A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王孝林;王海燕;严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示屏 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示屏及显示装置。
背景技术
液晶显示屏主要由对向基板,阵列基板,以及位于该两基板之间的液晶层组成。具体地,如图1所示,在阵列基板一侧设置有薄膜晶体管(TFT)101、栅线102、数据线103以及像素电极104,其中,薄膜晶体管101的栅极与栅线102相连,源极与数据线103相连,漏极与像素电极104相连。在对向基板一侧设置有黑矩阵、颜色树脂以及公共电极等。
目前,为了得到具有较高分辨率的液晶显示屏,一般会通过减小像素电极的面积来提高液晶显示屏的分辨率,这样像素电极与公共电极的交叠面积会变小,导致像素电极与公共电极之间的存储电容变小。由公式其中,ΔVP为在栅极信号由开启到关闭的瞬间,像素电极的电压发生跳变前后的电压差,Vgh为在栅极信号开启状态下的栅极电压,Vgl为在栅极信号关闭状态下的栅极电压,Cgs为栅线与源极之间的电容,Clc为像素电极与液晶分子之间的电容,Cs为像素电极与公共电极之间的存储电容,可以推导出,像素电极与公共电极之间的存储电容Cs变小,会导致像素电极的电压发生跳变前后的电压差ΔVP变大,由此会导致液晶显示屏具有严重的闪烁问题。
此外,位于阵列基板一侧的薄膜晶体管的有源层可以采用氧化物制作,也可以采用多晶硅制作。在采用氧化物制作有源层时,会导致栅线与源极之间的电容Cgs较大,由上述公式可以推导出,栅线与源极之间的电容Cgs较大,也会导致像素电极的电压发生跳变前后的电压差ΔVP较大,从而液晶显示屏也会具有严重的闪烁问题。
因此,如何减小像素电极的电压发生跳变前后的电压差,从而改善液晶显示屏的闪烁问题,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种液晶显示屏及显示装置,用以减小像素电极的电压发生跳变前后的电压差,改善液晶显示屏的闪烁问题。
因此,本发明实施例提供了一种液晶显示屏,具有多个呈阵列排布的像素区,所述像素区内分为透光区域和遮光区域,且所述像素区具有公共电极和像素电极;
在至少一个所述像素区内,所述像素电极具有位于所述遮光区域内、且与所述公共电极位于所述遮光区域内的部分相对而置的电容补偿部。
本发明实施例提供的上述液晶显示屏,利用遮光区域设置电容补偿部,并且,该电容补偿部与公共电极位于遮光区域内的部分相对而置,这样,相对于现有技术中公共电极和像素电极仅在透光区域存在交叠,增加了像素电极与公共电极在遮光区域内的交叠面积,相应地补偿了像素电极与公共电极之间的存储电容,从而减小了像素电极的电压发生跳变前后的电压差,改善了液晶显示屏的闪烁问题。并且,由于在像素电极中增加的电容补偿部位于遮光区域,也不会影响像素区的开口率。
本发明实施例提供的上述液晶显示屏,具体包括:对向基板,阵列基板,位于所述对向基板与所述阵列基板之间的液晶层,位于所述对向基板背向所述液晶层一侧的第一偏光片,以及位于所述阵列基板背向所述液晶层一侧的第二偏光片;
具体地,所述液晶层由正性的液晶分子组成,在初始状态下,所述正性的液晶分子的长轴方向平行于所述对向基板和所述阵列基板;或,所述液晶层由负性的液晶分子组成,在初始状态下,所述负性的液晶分子的短轴方向平行于所述对向基板和所述阵列基板;
所述像素电极位于所述阵列基板面向所述液晶层的一侧;
所述公共电极位于所述阵列基板或所述对向基板面向所述液晶层的一侧。
具体地,本发明实施例提供的上述液晶显示屏可以为常黑模式,所述第一偏光片的光透过轴方向与所述第二偏光片的光透过轴方向相互垂直。
进一步地,为了减小像素电极具有的电容补偿部之间相互靠近的两个边缘之间的电场使正性的液晶分子的长轴旋转导致的漏光现象,在相邻的两个所述像素区中,所述像素电极具有的电容补偿部之间相互靠近的两个边缘在所述阵列基板上的投影与所述正性的液晶分子的长轴在所述阵列基板上的投影具有的角度分别大于0°;
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