[发明专利]液晶显示装置及其驱动方法有效
申请号: | 201310704228.4 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103969900B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 赵秀烘;高尚范;李俊烨;金洙虎;金纹彻;李星雨;裵贤稷 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
本申请要求享有2013年1月25日递交的韩国专利申请10-2013-0008571的权益,为了所有目的,在此通过援引的方式将该专利申请并入本文,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置,更具体地涉及一种具有栅极共用结构和更小功耗的液晶显示(LCD)装置及其驱动方法。
背景技术
作为显示装置的LCD装置通过利用液晶分子的光学各项异性和偏振特性来驱动。LCD装置广泛应用于移动电子设备的显示部件、电脑的监视器和电视。
由于液晶分子的长薄形状,所以液晶分子具有确定的取向方向。液晶分子的取向方向可通过应用穿过液晶分子的电场来控制。随着电场的强度或方向的变化,液晶分子的取向也发生变化。
LCD装置包括两块分别具有产生电场的电极的基板以及在两块基板之间的液晶层。液晶分子的取向由电极之间的电场改变,从而能够通过控制光透射率来显示图像。
LCD装置包括阵列基板、滤色器基板以及夹在二者之间的液晶层。阵列基板可包括像素电极和TFT,滤色器基板可包括滤色器层和公共电极。LCD装置由像素电极与公共电极之间的电场驱动,从而实现透射率和开口率的优良特性。然而,由于LCD装置使用垂直电场,所以LCD装置的视角较差。
可使用面内切换(IPS)模式LCD装置解决上述局限。现有技术的IPS模式LCD装置包括滤色器基板、面对滤色器基板的阵列基板以及夹在二者之间的液晶层。用于驱动液晶层的公共电极和像素电极均形成在阵列基板上,从而在像素电极与公共电极之间产生水平电场。由于液晶分子由水平电场驱动,所以IPS模式LCD装置的视角得到改善。然而,IPS模式LCD装置在开口率和透射率方面存在缺陷。
为了克服IPS模式LCD装置的上述缺陷,引入了边缘场切换(FFS)模式LCD装置。在下文中,将对现有技术的FFS模式LCD装置进行说明。
图1是现有技术的FFS模式LCD装置的示意图,图2是现有技术的FFS模式LCD装置中的像素的电路图。
参照图1和图2,在现有技术的FFS模式LCD装置中,多条数据线DL1至DL10以及多条栅极线GL1至GL4形成为彼此交叉。多个像素R11至R43、G11至G43以及B11至B43由多条数据线DL1至DL10和多条栅极线GL1至GL4限定。
多个像素R11至R43、G11至G43以及B11至B43中的每个像素包括薄膜晶体管(TFT)Tr、存储电容器Cst以及液晶电容器CLC。液晶电容器CLC包括像素电极(未示出)和公共电极Vcom。像素电极与TFT电连接。
多个像素R11至R43、G11至G43以及B11至B43排列成条带状。
例如,沿垂直方向排列的像素包括相同的滤色器,例如红色滤色器,并且不同的滤色器,例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器沿水平方向交替地排列在像素中。
在这种像素结构中,在垂直相邻的两个像素的一个像素中的TFT与垂直相邻的两个像素之间的栅极线电连接。因此,在像素R11至R43、G11至G43以及B11至B43中的每个像素中都需要用于TFT的面积。由此,像素的开口率和透射率因用于TFT的区域而被减小了。
也就是说,尽管开发了FFS模式LCD装置以克服IPS模式LCD装置的诸如开口率和透射率的上述缺陷,然而在开口率和透射率方面仍存在不足。
发明内容
因此,本发明涉及一种大体上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的LCD装置及其驱动方法。
本发明的其它优点和特征将在下面的描述中列出,并且这些优点和特征的一部分根据描述变得显而易见,或者可以通过实施本发明而获悉。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构,将实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了实现这些和其它优点,根据本发明的目的,如在此具体和概括描述的那样,本发明提供一种液晶显示装置,包括:在基板上延伸的栅极线;与所述栅极线交叉从而限定多个像素的数据线;在每个像素中的薄膜晶体管;以及在每个像素区域中的液晶电容器,所述液晶电容器的电极与所述薄膜晶体管连接,其中在第(2b)像素列中的第(2a-1)个像素的薄膜晶体管与第(2a)个像素的薄膜晶体管共用第(2a)条栅极线,并且在第(2b+1)像素列中的第(2a)个像素的薄膜晶体管与第(2a+1)个像素的薄膜晶体管共用第(2b+1)条栅极线,其中a和b都是正整数。
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