[发明专利]用于电子膜和器件的喹啉‑苯并噁唑衍生的化合物有效
申请号: | 201310703841.4 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103915574B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | M.S.奥伯;R.D.弗洛伊斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;C07D413/04;C07D413/14 |
代理公司: | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11484 | 代理人: | 张永新 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 器件 喹啉 衍生 化合物 | ||
相关申请的参考
本申请要求2012年12月28日提交的美国临时申请61/746,748的权益。
技术领域
本申请涉及用于电子膜和器件的喹啉-苯并噁唑衍生的化合物及其组合物,以及由此得到的电子器件。
背景技术
有机发光器件(OLEDs)是这样的器件,其中电致发光层是含有至少一种响应电流而发光的有机化合物的膜。大部分OLEDs由具有清晰的HOMO和LUMO能级的不同芳族化合物的堆叠组成。这些化合物通常分类为电致发光物质和电荷传输物质。这些电致发光和电荷传输化合物所需要的几种性质包括在固态的高荧光量子产率,电子和空穴的高迁移率,在真空气相沉积过程中的化学稳定性,和形成稳定的膜的能力。OLEDs的共同问题包括快速老化/短的寿命期限,不期望的高操作电压,或不够的效率。由此,这里需要用于OLED器件的新化合物,其能够实现持续时间长和效率高的器件。具有这些特征的化合物通常需要具体的HOMO和LUMO能级,和HOMO和LUMO之间足够的能隙。此外,具有高三重态能量的化合物对于支持磷光性发射器来说是特别理想的。
KR2009131958A(摘要)披露了一组多种多样的芳族化合物,包括具体的2-(喹啉-6-基)-苯并噁唑实例,其用于有机光电器件。这些化合物披露为具有固有的偶极矩,其导致电荷迁移率和各种光学性质的改进,并且披露为具有寿命,效率,热和电化学稳定性。
其它喹啉-苯并噁唑化合物披露于以下参考文献中:EP1460067A1;JP2011168515A(摘要);JP2000017261A(摘要);JP2000191657(摘要);US20110081428;WO2009021750;WO2008073451;WO2002016333;WO1996009822;EP694599A2;EP641850A1;EP640676A1;EP640677A1;和WO1992015579。但是,如上所披露的,仍然需要用于OLED器件的新化合物,其能够获得长期的和高效率的器件,和其适合用于荧光和磷光发射器。这些需要和其它需要已经通过本发明得到了满足。
发明内容
本发明提供了一种组合物,其含有选自以下式A,B1,B2,B3,B4或C的至少一种组合物:
A)
其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9和R10各自独立地选自以下:a)氢原子;b)氘原子;c)(C1-C30)烷基;d)取代的(C1-C30)烷基;e)(C6-C50)芳基;f)取代的(C6-C50)芳基;g)(C3-C50)杂芳基;h)取代的(C3-C50)杂芳基;i)(C3-C30)环烷基;j)取代的(C3-C30)环烷基;或k)由–(Ar1)m—(Ar2)表示的基团,其中
Ar1选自以下:取代的或未取代的(C5-C30)亚芳基,和取代的或未取代的(C5-C30)亚杂芳基,和
Ar2选自以下:取代的或未取代的(C5-C30)芳基,取代的或未取代的(C5-C30)芳氧基,和取代的或未取代的(C4-C30)杂芳基,
m是0-5的整数,和
–(Ar1)m—(Ar2)中的Ar1基团彼此相同或不同;
和条件是R1,R2,R3,和R4中至少一个包括至少10个碳原子和一个环状芳族环;
和其中,任选地,选自R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9和R10的两个或更多个R基团可以形成一个或多个环结构;
和条件是R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9和R10都不含有羟基,腈,异腈,砜,磺酰胺,伯胺,仲胺,季铵,酰胺,硫代酰胺,卤素,含有硫的双环部分,噻唑烷二酮,硫代噻唑烷二酮(thioxothiazolidinone),或苯并噁唑基团;
B1)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择