[发明专利]一种栅金属结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310702272.1 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103700699A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种栅金属结构，其特征在于，包括：衬底和铜金属层；
设置在所述衬底与铜金属层之间的阻挡层，所述阻挡层为氮氧化硅SiON或氧化硅SiOx。
2.根据权利要求1所述的栅金属结构，其特征在于，SiON或SiOx通过化学气相沉积工艺在所述衬底与铜金属层之间沉淀而成。
3.根据权利要求2所述的栅金属结构，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。
4.根据权利要求1所述的栅金属结构，其特征在于，所述阻挡层厚度为50nm~200nm。
5.根据权利要求1所述的栅金属结构，其特征在于，所述铜金属层中掺入有稀有金属、过渡元素或高熔点金属，包括镝、钐、钆、钕、镧、钛、铪、铌、锆、锰、钨、钽、钌、铂、镁中的一种或多种。
6.一种栅金属结构制造方法，包括：步骤S1，提供衬底和铜金属层；
步骤S2，在所述衬底与铜金属层之间设置阻挡层，所述阻挡层为氮氧化硅SiON或氧化硅SiOx。
7.根据权利要求6所述的栅金属结构制造方法，其特征在于，所述步骤S2具体是指，采用化学气相沉积工艺将SiON或SiOx沉淀在所述衬底与铜金属层之间。
8.根据权利要求7所述的栅金属结构制造方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。
9.根据权利要求6所述的栅金属结构制造方法，其特征在于，所述阻挡层厚度为50nm~200nm。
10.根据权利要求6所述的栅金属结构制造方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：在铜金属层中掺入稀有金属、过渡元素或高熔点金属，具体是掺入镝、钐、钆、钕、镧、钛、铪、铌、锆、锰、钨、钽、钌、铂、镁中的一种或多种。
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