[发明专利]带静电保护结构的MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.一种带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底之上的第一导电类型的外延层；

位于所述外延层内源区和位于所述外延层内或所述外延层上的栅结构；

位于所述外延层之上的介质层，所述介质层中具有彼此相邻的源接触孔和栅接触孔；

与所述源区相连的源极金属层，所述源极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述源极金属层通过所述源接触孔与所述外延层接触；

与所述栅结构相连的栅极金属层，所述栅极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述栅极金属层通过所述栅接触孔与所述外延层接触；

第一阱区，所述第一阱区位于所述源接触孔下方的外延层中，所述第一阱区为与第一导电类型相反的第二导电类型；

第二阱区，所述第二阱区位于所述栅接触孔下方的外延层中，所述第二阱区为第二导电类型。

2.根据权利要求1所述的带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，还包括：

第三阱区，所述第三阱区位于所述源接触孔与所述第一阱区之间，所述第三阱区为第一导电类型。

3.根据权利要求2所述的带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，所述第三阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，还包括：

第四阱区，所述第四阱区位于所述源接触孔与所述第二阱区之间，所述第四阱区为第一导电类型。

5.根据权利要求4所述的带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，所述第四阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的带静电保护结构的MOSFET，其特征在于，所述MOSFET为垂直结构的VMOSFET。

7.一种带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层内形成源区以及在所述外延层内或所述外延层上形成栅结构；

在所述外延层中形成彼此相邻的第二导电类型的第一阱区和第二阱区；

在所述外延层上形成介质层，并在所述介质层中与第一阱区对应的位置形成源极接触孔，在所述介质层中与第二阱区对应的位置形成栅极接触孔；

形成源极金属层和栅极金属层，所述源极金属层与所述源区相连，且所述源极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述源极金属层通过所述源接触孔与所述第一阱区接触，所述栅极金属层与所述栅结构相连，所述栅极金属层的至少一部分形成在所述介质层之上，且该部分所述栅极金属层通过所述栅接触孔与所述第二阱区接触。

8.根据权利要求7所述的带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一阱区之后、形成所述源极金属层之前，在预设所述源接触孔位置与所述第一阱区之间形成第一导电类型的第三阱区。

9.根据权利要求8所述的带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述第三阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

10.根据权利要求7所述的带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二阱区之后、形成所述栅极金属层之前，在预设所述源接触孔位置与所述第二阱区之间形成第一导电类型的第四阱区。

11.根据权利要求10所述的带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述第四阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

12.根据权利要求7-11任一项所述的带静电保护结构的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述MOSFET为垂直结构的VMOSFET。