[发明专利]一种等离子体刻蚀设备进气装置无效
| 申请号： | 201310699903.9 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103730393A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谢利华;陈特超;李健志;王萍;王玉明 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 设备 装置 | ||
1.一种等离子体刻蚀设备进气装置，包括连接等离子体刻蚀设备的等离子体源室（2）和反应腔体（6）的中空连接件（4）；其特征在于，所述连接件内固定有匀气环（1）；所述匀气环（1）上开设有缺口（9），所述缺口（9）两侧的匀气环（1）端口与固定在连接件（4）内的三通接头（3）的两个端口连通；所述三通接头（3）第三个端口与一根连通开设在所述连接件（4）上的进气口（7）和出气口（8）的进气管（10）连通；所述匀气环（1）内侧壁上开设有多个喷淋孔（6）。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备进气装置，其特征在于，所述匀气环（1）采用直径为6～15mm的内抛光316L不锈钢管制成，所述匀气环（1）直径为250mm。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体刻蚀设备进气装置，其特征在于，所述匀气环（1）通过紧固件（5）与所述连接件（4）内壁固定连接。
4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀设备进气装置，其特征在于，所述多个喷淋孔（6）大小相同，各喷淋孔（6）直径均为0.5~3mm，相邻两个喷淋孔的间距为1~5mm。
5.根据权利要求4所述的等离子体刻蚀设备进气装置，其特征在于，所述多个喷淋孔（6）均匀分布在所述匀气环（1）内侧壁上。
6.根据权利要求5所述的等离子体刻蚀设备进气装置，其特征在于，所述连接件（4）为法兰。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
