[发明专利]烷氧基甲硅烷基胺化合物及其应用

权利要求书

1.包含至少一种具有Si-N键、Si-O键和Si-H键的化合物的前体，选自：

((MeO)₂HSi)₂NMe、((EtO)₂HSi)₂NMe、((MeO)MeHSi)₂NMe、((EtO)MeHSi)₂NMe、((MeO)₂HSi)₂NEt、((EtO)₂HSi)₂NEt、((MeO)MeHSi)₂NEt、((EtO)MeHSi)₂NEt、((MeO)₂HSi)₂NPrⁿ、((EtO)₂HSi)₂NPrⁿ、((MeO)MeHSi)₂NPrⁿ、((EtO)MeHSi)₂NPrⁿ、((MeO)₂HSi)₂NPrⁱ、((EtO)₂HSi)₂NPrⁱ、((MeO)MeHSi)₂NPrⁱ、((EtO)MeHSi)₂NPrⁱ、((MeO)₂HSi)₂NBu^t、((EtO)₂HSi)₂NBu^t、((MeO)MeHSi)₂NBu^t、((EtO)MeHSi)₂NBu^t、((MeO)₂HSi)₃N、((EtO)₂HSi)₃N、((MeO)MeHSi)₃N、((EtO)MeHSi)₃N、((MeO)₂HSi)₂NSiH₂(OBu^t)、((EtO)₂HSi)₂NSiH₂(OBu^t)、((MeO)₂HSi)₂NSiH(OEt)₂和((^tBuO)H₂Si)₃N。

2.沉积含硅膜的沉积方法，所述方法包括以下步骤：

a.将权利要求1所述的前体引入至反应器；和b.沉积含硅膜。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述沉积方法选自循环CVD、金属有机CVD、热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、高密度PECVD、光子辅助CVD、等离子体光子辅助CVD、低温化学气相沉积、化学辅助气相沉积、热丝化学气相沉积、液体聚合物前体CVD、从超临界流体的沉积、低能量CVD和可流动化学气相沉积。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述沉积方法是可流动化学气相沉积。

5.如权利要求2-4中任一项所述的方法，其中所述沉积方法还包括至少另一种烷氧基硅烷。

6.如权利要求2-4中任一项所述的方法，其中所述含硅膜包含硅和氧，并且是在使用氧源、含氧的试剂或前体在氧的存在下沉积的；和/或所述含硅膜包含硅和氮，并且是在含氮源的存在下沉积的；和/或其中将质子源提供至所述反应器中以至少部分地与所述至少一种烷氧基甲硅烷基胺前体反应。

7.储存、运输和递送至少一种烷氧基甲硅烷基胺的系统，所述系统包括：

容器，其中所述容器的至少一部分内表面包含选自玻璃、塑料、金属、及其组合的内衬；以及如权利要求1所述的前体。