[发明专利]检测可控硅调光器输出导通角θ的方法

权利要求书

1.一种检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，包括可控硅调光器中的全波整流桥以及与可控硅调光器中的全波整流桥并接的非线性电流源；其特征是：将全波整流桥的寄生电容储能电压在可控硅调光器有输出之前保持为零，并在全波整流桥的交流侧的输入接近零附近时，将全波整流桥的寄生电容储能电压释放掉，从而精确地检测可控硅调光器的输出导通角θ。

2.根据权利要求1所述的检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，其特征是：所述非线性电流源为四端压控电流源器件，包括检测外部电压大小的检测输入端G、输出周期方波脉冲对应可控硅调光器的输出导通角θ及相应的频率的输出控制信号端D、电流输入端A以及电流入地端K；

在所述检测输入端G的输入电压V_G由0增加的过程中，电流输入端A的输入入地电流I_DIS由最大电流I_MAX随检测输入端G的输入电压V_G的增加而减小；当检测输入端G的输入电压V_G大于开启电压V_FIX时，电流输入端A的稳态输入入地电流I_DIS为零，输出控制信号端D输出“1”电平；

在所述检测输入端G的输入电压V_G由开启电压V_FIX减小的过程中，电流输入端A的输入入地电流I_DIS由零随检测输入端G的输入电压V_G的减小而增加；当检测输入端G的输入电压V_G等于0时，电流输入端A的稳态输入入地电流I_DIS达到最大电流I_MAX；输出控制信号端D输出“0”电平。

3.根据权利要求2所述的检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，其特征是：所述非线性电流源包括高压N沟道MOSFET、低压P沟道MOSFET、电阻R1以及模块1；

所述模块1提供高压N沟道MOSFET的栅极一固定偏压V_BIAS，并将输入检测输入端G的输入电压V_G信号整形为方波脉冲输出的输出控制信号D₁；

当检测输入端G的输入电压V_G大于开启电压V_FIX时，输出控制信号D₁为“1”电平；

当检测输入端G的输入电压V_G=0，输出控制信号D₁为“0”电平。

4.根据权利要求2所述的检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，其特征是：非线性电流源包括高压N沟道MOSFET，低压P沟道MOSFET、电阻R1、电阻R2、低压N沟道MOSFET以及模块2；

所述高压N沟道MOSFET的栅极由模块2提供或其他方式提供的固定偏压V_BIAS；

所述模块2还将输入控制端V_G的信号进行整形为方波脉冲输出的输出控制信号D₁；

所述电阻R2、低压N沟道MOSFET和输出控制信号D₁通过高压N沟道MOSFET构成输出控制信号D₁控制的开关电流I_D；

所述模块2还控制低压N沟道MOSFET，构成输出控制信号D₁控制的开关电流I_D；

当检测输入端G的输入电压V_G大于开启电压V_FIX时，输出控制信号D₁为“1”电平；

当检测输入端G的输入电压V_G=0时，输出控制信号D₁为“0”电平。