[发明专利]键合结构及其形成方法

权利要求书

1.一种键合结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；

在所述基底表面形成焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；

在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽，所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度。

2.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，还包括：将金属球在所述凹槽内与焊垫金属层焊接，所述金属球上端有金属线。

3.根据权利要求2所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述金属球的材料为铜、金。

4.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于1/2倍的焊垫金属层厚度。

5.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的横截面为圆形。

6.根据权利要求5所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的横截面的最大直径大于30um。

7.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述焊垫金属层之前，在所述基底表面形成扩散阻挡层。

8.根据权利要求7所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为TaN。

9.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，形成所述焊垫金属层的形成方法包括：在所述基底上形成金属材料层，在所述金属材料层表面形成第一图形化掩膜层；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层，形成焊垫金属层，所述焊垫金属层覆盖金属互连线及所述金属互连线一侧的介质层；去除所述第一图形化掩膜层。

10.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，在所述基底和焊垫金属层表面形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层暴露出焊垫金属层的第二区域的部分表面；以所述第二图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述焊垫金属层的第二区域，在所述第二区域内形成凹槽。

11.一种键合结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；

位于基底表面的焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；

位于所述焊垫金属层的第二区域内的凹槽，所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度，所述凹槽作为焊点。

12.根据权利要求11所述的键合结构，其特征在于，还包括：位于所述凹槽内与所述焊垫金属层焊接的金属球和位于所述金属球上端的金属线。

13.根据权利要求12所述的键合结构，其特征在于，所述金属球和金属线的材料为铜或金。

14.根据权利要求11所述的键合结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于1/2倍的焊垫金属层厚度。

15.根据权利要求11所述的键合结构，其特征在于，所述凹槽的横截面为圆形。

16.根据权利要求15所述的键合结构，其特征在于，所述凹槽的横截面的最大直径大于30um。

17.根据权利要求11所述的键合结构，其特征在于，还包括：位于所述基底表面、焊垫金属层下方的扩散阻挡层。

18.根据权利要求17所述的键合结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为TaN。