[发明专利]一种可见光器件圆片级封装结构和方法

权利要求书

1.一种可见光器件圆片级封装方法，其特征在于，所述可见光器件圆片级封装方法至少包括步骤：

1）提供透明封装基板，在所述透明封装基板上键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；

2）在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；

3）采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；

4）在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；

5）最后进行划片形成独立的封装器件。

2.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述透明封装基板为玻璃。

3.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述腔体的底部尺寸小于腔体的开口尺寸。

4.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述硅晶圆的厚度范围为450～750μm。

5.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤1）中采用直接键合或间接键合的方法将所述透明封装基板和硅晶圆进行键合。

6.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤1）还包括对所述透明封装基板进行光学处理的步骤。

7.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤1）中采用湿法腐蚀工艺在所述硅晶圆中形成腔体。

8.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤2）中采用薄膜、光刻、电镀和腐蚀工艺形成互连结构。

9.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤3）中所述凸点技术为激光植球法或电镀法。

10.根据权利要求1所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤3）中凸点的熔点温度范围为210～230℃；所述步骤4）中外凸点的熔点温度范围为183～210℃。

11.一种可见光器件圆片级封装结构，所述封装结构至少包括：

透明封装基板；

硅晶圆，键合在所述透明封装基板上；

腔体，制造在所述硅晶圆中，所述腔体暴露出所述透明封装基板；

互连结构，制造并结合于所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面；

可见光器件，通过凸点技术倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；

外凸点，形成于在所述硅晶圆背面的互连结构上。

12.根据权利要求11所述的可见光器件圆片级封装结构，其特征在于：所述腔体的底部尺寸小于腔体的开口尺寸。

13.根据权利要求11所述的可见光器件圆片级封装方法，其特征在于：所述硅晶圆的厚度范围为450～750μm。