[发明专利]一种太阳能电池减反射膜的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征为：首先，采用PECVD 镀膜设备，通入NH3 与SiH4流量比为3.2:1 的气体，在等离子体气氛中沉积165 秒，在硅片表面形成一层折射率2.45，膜厚18nm 的氮化硅膜；之后，通入的NH3 与SiH4 流量比为10.47:1，在等离子体气氛中沉积395 秒，在第一层氮化硅膜上继续沉积出第二层折射率为2.07，膜厚44nm 的氮化硅膜；再后，引入另一种气体N0x，替代NH3，通入的N0x 与SiH4 流量比为27:1，在等离子体气氛中沉积145 秒时间，在第二层氮化硅表面沉积出一层折射率1.83，膜厚22nm 的氮化硅与氧化硅混合减反射膜，即最终在硅片表面形成一层总膜厚为84nm，折射率从2.45 逐步过渡到1.83，综合折射率1.99-2.04，介质从氮化硅到氧化硅过渡的太阳能电池减反射膜。