[发明专利]一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法

权利要求书

1.一种掩膜板组，其特征在于，包括第一掩模板和至少一个第二掩模板；所述第二掩模板上包括一个或多个用于检测套刻精度的点位；

所述第一掩模板上与所述点位对应的区域设置有至少一个第一套刻标记，所述第一套刻标记为设定长度的线段；

所述第二掩模板上点位所在区域设置有与所述第一套刻标记一一对应的第二套刻标记，所述第二套刻标记为设定长度的线段；

同一点位对应的第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影相交且具有设定夹角。

2.根据权利要求1所述的掩模板组，其特征在于，所述同一点位对应的第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影图案相互垂直相交。

3.根据权利要求2所述的掩模板组，其特征在于，所述第一掩模板上与所述点位对应的区域设置有四个第一套刻标记，各第一套刻标记中心的连线构成一个正方形。

4.根据权利要求3所述的掩模板组，其特征在于，所述第一套刻标记与第二套刻标记相互垂直，至少一个第一套刻标记沿第一方向延伸，至少一个第二套刻标记沿第二方向延伸。

5.根据权利要求4所述的掩模板组，其特征在于，所述第一掩模板上与所述点位对应的区域还设置有第三套刻标记，所述第三套刻标记的形状为正方形；所述第二掩模板上点位所在区域还设置有第四套刻标记，所述第四套刻标记的形状为正方形；

所述第三套刻标记的面积小于第四套刻标记的面积，在同一坐标系中，所述第三套刻标记的中心和第四套刻标记的中心的坐标相同。

6.根据权利要求5所述的掩模板组，其特征在于，所述第一套刻标记与所述正方形的一边平行，所述第二套刻标记与所述正方形的一边平行。

7.根据权利要求6所述的掩模板组，其特征在于，

与同一点位对应的第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影位于对应的第三套刻标记在第一掩模板上的投影和第四套刻标记在第一掩模板上的投影之间，各第一套刻标记关于第三套刻标记的中心两两对称；各第二套刻标记关于第四套刻标记的中心两两对称。

8.根据权利要求1-7任一权项所述的掩模板组，其特征在于，所述第一套刻标记上设置有刻度线；所述第二套刻标记上设置有刻度线，第一套刻标记上的刻度线和第二套刻标记上的刻度线的最小刻度值相等。

9.根据权利要求8所述的掩模板组，其特征在于，所述第一套刻标记上的中点为0刻度，所述第二套刻标记上的刻度线的中点为0刻度。

10.一种应用权利要求1所述的掩膜板组检测套刻精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过曝光工艺将第一掩膜板上的第一套刻标记转移至目标基板上需要对位的第一功能膜层上的各点位上形成所述第一套刻标记，所述第一套刻标记为设定长度的线段；

通过曝光工艺将第二掩膜板的第二套刻标记转移到目标基板上需要对位的当前功能膜层上的各点位上形成与所述第一套刻标记相对应的第二套刻标记，所述第二套刻标记为设定长度的线段；

至少根据所述第一套刻标记和第二套刻标记的位置确定当前光刻的套刻精度。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述同一点位对应的第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影图案相互垂直相交；所述第一套刻标记上设置有刻度线；所述第二套刻标记上设置有刻度线，第一套刻标记上的刻度线和第二套刻标记上的刻度线的最小刻度值相等；

根据所述第一套刻标记和第二套刻标记的位置确定当前光刻的套刻精度，具体为：

确定所述第二套刻标记的中心相对于所述第一套刻标记的中心的偏移方向和各偏移方向上的偏移量，该偏移量为当前光刻的套刻精度。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述通过曝光工艺将第一掩膜板上的第一套刻标记转移至目标基板上需要对位的第一功能膜层上的各点位上时，还包括：将第一掩模板上的第三套刻标记转移至目标基板上需要对位的第一功能膜层上的各点位上，形成所述第三套刻标记，所述第三套刻标记的形状为正方形；

在通过曝光将第二掩膜板的第二套刻标记转移到目标基板上需要对位的当前功能膜层上的各点位上时，还包括：将第二掩模板上的第四套刻标记转移至目标基板上需要对位的当前功能膜层上的各点位上，形成所述第四套刻标记，所述第四套刻标记的形状为正方形。