[发明专利]一种基于分立元器件的LDO电路

说明书

技术领域

本发明涉及调节电变量的系统，尤其涉及一种LDO电路。

背景技术

LDO:low dropout regulator，低压差线性稳压器。

MOS管:指金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。

PMOS管： PMOS管是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

低压差线性稳压器(LDO)具有结构简单、低噪声、低功耗以及小封装和较少的外围应用器件等突出优点,在便携式电子产品中得到广泛的应用,LDO属于DC/DC变换器中的降压变压器，在负载一定的情况下，输入电压在一定范围内，LDO电路系统能够保证输出电压稳定， 提高电池寿命。

现有LDO电路通常采用LDO芯片加一些外围电路实现，现有大电流（大于3A）的LDO芯片工作时发热较大、封装大（一般为SOP8或TO263-5）、价格较为昂贵。利用LDO的基本原理，利用简单的分立元器件来实现LDO的基本功能，且带使能控制，输出电压大小可调，比较适用于对价格敏感，对PCB封装大小和封装高度有要求，且对电流和纹波要求较高的供电场合使用。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种利用分离元器件实现LDO功能、大电流供电的LDO电路。

本发明所采用的技术方案是：

一种基于分立元器件的LDO电路，其包括MOS管、比较放大电路和输出调节支路，所述MOS管的栅极与比较放大电路连接，所述MOS管的漏极连接有输入接口，所述MOS管的源极连接有输出接口，所述输出调节支路包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与MOS管的源极连接，另一端与第二电阻连接，所述第二电阻的一端与第一电阻连接，另一端接地，所述比较放大电路与第一电阻和第二电阻之间的结点连接，所述比较放大电路还连接有使能控制端。

优选的，所述MOS管为PMOS管。

优选的，所述比较放大器包括第一三极管、第二三极管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻，所述第一三极管的基极与第一电阻和第二电阻之间的结点连接，所述第一三极管的发射极通过第三电阻连接到使能控制端，所述第一三极管的集电极通过第四电阻连接到第二三极管的基极，所述第二三极管的集电极通过第六电阻连接到PMOS管的栅极，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的基极和发射极之间连接有第五电阻。

优选的，所述第一三极管为NPN三极管，所述第二三极管为PNP三极管。

优选的，其还包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容和第七电阻，所述第二电容的正极与输入接口连接，负极接地，所述第一电容与第二电容并联，所述第三电容连接于PMOS管的漏极和栅极之间，所述第七电阻与第三电容并联，所述第四电容的正极与输出接口连接，负极接地，所述第五电容与第四电容并联。

本发明的有益效果是：

本发明利用分立元器件搭建了LDO电路，省去了专用芯片，实现LDO的功能，通过输出反馈调整MOS管的漏极和源极的压降以使输出电压不变，而且输出电压纹波小，电流大，可用于RF模块、音频模块或无线模块等对电压稳定性要求高的电路，还具备电路整体占用PCB面积小、成本低、噪音小、电压可调的优点。

本发明可广泛应用于电压调节电路。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明：

图1是本发明的基本电路原理图；

图2是本发明一种实施例的电路原理图；

图3是本发明一种实施例实际测试轻载纹波波形图；

图4是本发明一种实施例实际测试高负载纹波波形图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示，一种基于分立元器件的LDO电路，其包括MOS管Q1、比较放大电路和输出调节支路，所述MOS管Q1的栅极与比较放大电路连接，所述MOS管Q1的漏极连接有输入接口VIN，所述MOS管Q1的源极连接有输出接口VOUT，所述输出调节支路包括第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1的一端与MOS管Q1的源极连接，另一端与第二电阻R2连接，所述第二电阻R2的一端与第一电阻R1连接，另一端接地。所述比较放大电路与第一电阻R1和第二电阻R2之间的结点连接，所述比较放大电路还连接有使能控制端EN。