[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：具有元件活性部和所述元件活性部外周的元件周边部，

所述元件活性部包括：

第2导电类型的基极区域，形成在半导体基板的第1主表面侧的第1导电类型的半导体层上；

第1导电类型的源极区域，形成在所述基极区域；

栅极绝缘膜，形成在所述半导体层和所述源极区域之间的所述基极区域的所述半导体基板的表面上；

栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；

层间绝缘膜，形成在所述栅电极上；

源电极，形成在所述层间绝缘膜上并与所述基极区域和所述源极区域连接；

环状栅极金属布线，形成在所述层间绝缘膜上以包围所述源电极并与所述栅电极电连接，

所述元件周边部包括：

第2导电类型的至少2个保护环，相互分开地形成在所述半导体层；

绝缘膜，形成在所述半导体基板的所述第1主表面上；

所述层间绝缘膜，形成在所述绝缘膜上；以及

至少一个环状场板电极，形成在所述层间绝缘膜上以包围所述元件活性部并与所述保护环电连接；

所述半导体装置还包括：

有机保护膜，覆盖所述半导体基板的第1主表面侧的上表面并且与所述层间绝缘膜连接，所述有机保护膜设置有部分地暴露所述栅极金属布线的第1开口部以及部分地暴露所述源电极的第2开口部；以及

无机保护膜，形成在所述栅极金属布线和所述有机保护膜之间并仅覆盖所述栅极金属布线的侧面的整面及上表面的整面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：与形成在所述栅极金属布线的所述元件周边部侧的侧面上的所述无机保护膜相比，所述无机保护膜没有形成在更外周侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在形成在所述栅极金属布线的所述元件周边部侧的侧面上的所述无机保护膜和所述元件周边部的最外周的所述场板电极的侧面之间没有形成所述无机保护膜；

在所述元件周边部的最外周具有：

第2导电类型区域，形成在所述半导体层的表面层上；

环状沟道停止电极，形成在所述层间绝缘膜上并与所述半导体层或者所述第2导电类型区域电连接；

而且，在所述沟道停止电极和所述有机保护膜之间设置第2无机保护膜。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

在所述源电极和所述有机保护膜之间设置第3无机保护膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第1开口部设置部分地暴露所述栅极金属布线的栅电极极板；

在所述第2开口部设置部分地暴露所述源电极的源电极极板。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：所述无机保护膜是氧化硅膜或氮化硅膜。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：所述无机保护膜由层积膜构成。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：所述有机保护膜是聚苯并恶唑膜或聚酰亚胺膜。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极金属布线为包含铝的合金。