[发明专利]阵列基板及其制作方法，显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、栅极引线及数据线引线的图形，所述栅极引线和数据线引线位于PAD区；

形成绝缘间隔层，第一透明电极及钝化层的图形，使所述阵列基板对应的PAD区的绝缘间隔层的厚度小于其它区域的绝缘间隔层的厚度，并在对应栅极引线和数据线引线对应区域分别形成第一过孔和第二过孔，以暴露出所述栅极引线和数据线引线；

形成包括第二透明电极、第一连接电极和第二连接电极的图形，使所述第一连接电极通过所述第一过孔连接所述栅极引线，所述第二连接电极通过所述第二过孔连接所述数据线引线。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成绝缘间隔层，第一透明电极及钝化层的图形，使所述阵列基板对应的PAD区的绝缘间隔层的厚度小于其它区域的绝缘间隔层的厚度，并在对应栅极引线和数据线引线对应区域分别形成第一过孔和第二过孔，以暴露出所述栅极引线和数据线引线的步骤具体包括：

形成绝缘材料薄膜，通过构图工艺去除所述第一透明电极与薄膜晶体管的漏极连接区域、所述栅极引线区域及数据线引线区域的绝缘材料薄膜，以分别形成连接过孔、第一子过孔和第二子过孔的图形，且使得PAD区的绝缘材料薄膜的厚度小于其它区域的绝缘材料薄膜的厚度，以形成所述绝缘间隔层；

通过构图工艺在非PAD区形成所述第一透明电极的图形，且所述第一透明电极通过所述连接过孔连接薄膜晶体管的漏极；

形成钝化层，通过构图工艺分别在所述第一子过孔和第二子过孔对应区域继续刻蚀，直到分别暴露出所述栅极引线和数据线引线，以形成所述第一过孔和第二过孔。

3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述阵列基板对应的PAD区的绝缘间隔层厚度为其它区域的绝缘间隔层厚度的一半。

4.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，非PAD区的绝缘间隔层厚度为

5.如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述绝缘间隔层为有机材料制成。

6.一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的薄膜晶体管、第一透明电极、第二透明电极、栅极引线及数据线引线，所述栅极引线及数据线引线位于PAD区，还包括位于薄膜晶体管、栅极引线及数据线引线上方的绝缘间隔层，所述第一透明电极位于所述绝缘间隔层之上的非PAD区，第二透明电极位于第一透明电极上方，两者之间间隔有钝化层，其特征在于，且在所述PAD区的绝缘间隔层的厚度小于其它区域的绝缘间隔层的厚度，所述绝缘间隔层对应PAD区形成有第一过孔和第二过孔，绝缘间隔层上方还形成有与所述第二透明电极位于同一层的第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极和第二连接电极分别通过第一过孔和第二过孔连接所述栅极引线和数据线引线。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述PAD区的绝缘间隔层厚度为其它区域的绝缘间隔层厚度的一半。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极连接所述薄膜晶体管的漏极。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6～8中任一项所述的阵列基板。