[发明专利]一种稀土永磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种稀土永磁体，由合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制得，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕元素和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1a-T¹-B比例为60～85％，其余为所述合金R^1b-T²-M¹-B，

所述磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5，

镝、铽或钬中的至少一种元素，通过晶界扩散由所述磁体的表面扩散进入所述磁体的内部。

2.一种制造稀土永磁体的方法，包括以下步骤：

a、用合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制造毛坯磁体，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，所述M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，所述T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素，所述合金R^1a-T¹-B比例为60～85％，其余为所述合金R^1b-T²-M¹-B；

b、对所述毛坯磁体进行机加工并清洁其表面，得到基材磁体，所述基材磁体的尺寸满足：所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5；

c、在所述基材磁体的表面布置元素R，所述元素R是镝、铽或钬中的至少一种；

d、热处理布置有所述元素R的所述基材磁体，使附着到所述基材磁体表面的所述元素R扩散进入所述基材磁体的内部；

e、加工所述基材磁体形成成品磁体。

3.根据权利要求2所述的制造稀土永磁体的方法，其特征在于，在所述步骤c中，通过在所述基材磁体的表面布置粉末来布置所述元素R，所述粉末包括以下粉末中的至少一种：所述元素R的氟化物粉末、氢化物粉末、硝酸盐粉末、硫酸盐粉末、所述元素R与元素M²的合金粉末，所述元素M²是铁、钴、铜、铝、锌、镓、铟、锗、锡中的至少一种，其中所述R的质量百分比不少于50％。