[发明专利]一种直通型高压数据传输接口电路

权利要求书

1.一种直通型高压数据传输接口电路，其特征在于，包括高压数据读电路和高压数据写电路；

其中，所述高压数据读电路包括第一高压电流偏置产生电路、驱动电路和开关选择电路，所述第一高压电流产生电路通过所述开关电路与所述驱动电路相连，所述第一高压电流产生电路用于产生高压偏置电流，所述驱动电路通过所述开关选择电路的接通，控制所述高压偏置电流的通断；

其中，所述高压数据写电路包括第二高压电流偏置产生电路和逻辑电路，所述高压电流偏置产生电路通过所述逻辑电路判断电流的有无，产生相应的逻辑信号。

2.根据权利要求1所述的传输接口电路，其特征在于，所述第一高压电流偏置产生电路包括第一MOS晶体管和第一电阻，所述第一MOS晶体管的栅极和源极均与所述第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端与LPNP三极管相连，所述第一晶体管通过所述第一电阻产生高压偏置电流。

3.根据权利要求1所述的传输接口电路，其特征在于，所述第二高压电流偏置产生电路包括第二MOS晶体管和第二电阻组成，所述第二电阻与所述第二MOS晶体管的漏极相连，所述第二MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的衬底相连。

4.根据权利要求1所述的传输接口电路，其特征在于，所述开关选择电路根据芯片的数字地址信息，选通所述LPNP三极管或者第三电阻通路。

5.根据权利要求2或3所述的传输接口电路，其特征在于，还包括高压二极管，所述高压二极管分别与第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相连。

6.根据权利要求5所述的传输接口电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管均为高压NMOS晶体管。