[发明专利]光电二极管及其形成方法

权利要求书

1.一种光电二极管，包括：

衬底；

第一底电极，位于所述衬底上方，与第一像素相对应；

第二底电极，位于所述衬底上方，与第二像素相对应；

光转换层，位于所述第一底电极和所述第二底电极上方；

顶电极，位于所述光转换层上方；

滤色镜层，位于所述顶电极上方；以及

介电层，用于将所述滤色镜层中与所述第一像素相对应的第一部分与所述滤色镜层中与所述第二像素相对应的第二部分分离，所述介电层的折射率低于所述滤色镜层的折射率。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述顶电极包括氧化铟锡。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述光转换层包括有机膜。

4.根据权利要求1所述的光电二极管，还包括：读出电路，设置在所述衬底上方。

5.根据权利要求1所述的光电二极管，还包括：微透镜层，设置在所述滤色镜层上方。

6.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述滤色镜层中与所述第一像素相对应的第一部分是红滤色镜；以及所述滤色镜层中与所述第二像素相对应的第二部分是绿滤色镜。

7.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述介电层包括：与所述第一像素相对应的第一栅格和与所述第二像素相对应的第二栅格。

8.根据权利要求1所述的光电二极管，还包括：第二介电层，用于将所述光转换层中与所述第一像素相对应的第一部分与所述光转换层中与所述第二像素相对应的第二部分分离，所述第二介电层的折射率低于所述光转换层的折射率。

9.一种光电二极管，包括：

衬底；

第一底电极，位于所述衬底上方，与第一像素相对应；

第二底电极，位于所述衬底上方，与第二像素相对应；

光转换层，位于所述第一底电极和所述第二底电极上方；

顶电极，位于所述光转换层上方；

滤色镜层，位于所述顶电极上方；以及

介电层，用于将所述光转换层中与所述第一像素相对应的第一部分与所述光转换层中与所述第二像素相对应的第二部分分离，所述介电层的折射率低于所述光转换层的折射率。

10.一种形成光电二极管的方法，包括：

在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；

在所述衬底上方形成介电层；

对所述衬底上方的所述介电层进行图案化；

在所述衬底上方形成光转换层；

在所述光转换层上方形成顶电极；以及

在所述顶电极上方形成滤色镜层，

其中，所述介电层的至少一部分将所述滤色镜层中与第一像素相对应的第一部分与所述滤色镜层中与第二像素相对应的第二部分分离，并且所述介电层的折射率低于所述滤色镜层的折射率。