[发明专利]像素单元、阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器领域，具体地，涉及一种像素单元、一种包括该像素单元的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管显示技术的发展，基于低温多晶硅的显示技术逐渐成为主流。图1中所示的是一种典型的包括低温多晶硅薄膜晶体管的像素单元。形成图1中所示的像素单元包括以下步骤：在基板70形成缓冲层40的步骤；形成由低温多晶硅材料制成的有源层12的步骤；形成栅绝缘层50的步骤；形成栅极（包括第一栅极14和第二栅极15）的步骤；形成平坦化层60的步骤；形成源极过孔和漏极过孔的步骤；形成源极11、漏极13、填充源极过孔的源极过孔电极1和填充漏极过孔的漏极过孔电极2的步骤；形成钝化层80的步骤；形成平坦化层过孔的步骤；形成公共电极30和填充平坦化层过孔的平坦化层过孔电极3的步骤；形成钝化层80的步骤；形成钝化层过孔的步骤；形成像素电极20和填充所述钝化层过孔的钝化层过孔电极4的步骤。

由此可知，在形成图1中所示的像素单元需要9至10次掩膜板，工艺比较复杂。

因此，如何简化阵列基板的制造方法成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种像素单元、一种包括该像素单元的阵列基板和该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示装置，包括所述像素单元的阵列基板制造方法相对简单。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种像素单元，该像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述公共电极与所述像素电极形成电容，其中，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极形成为一体。

优选地，制成所述薄膜晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅，所述像素单元还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极，所述薄膜晶体管的有源层位于所述缓冲层上方，所述薄膜晶体管的源极通过第一过孔与所述薄膜晶体管的有源层相连，所述像素电极通过第二过孔与所述薄膜晶体管的有源层相连。

优选地，所述像素单元还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述薄膜晶体管的栅极形成在所述栅绝缘层上。

优选地，所述薄膜晶体管的栅极包括间隔设置的第一栅极和第二栅极。

优选地，所述像素单元还包括位于所述栅极上方的平坦化层，所述公共电极设置在所述平坦化层上。

优选地，所述第一过孔包括第一左过孔和第一右过孔，所述第一左过孔位于所述薄膜晶体管的源极上方，且所述第一左过孔贯穿所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述平坦化层，所述第一右过孔位于所述薄膜晶体管的有源层的上方，且所述第一右过孔贯穿所述栅绝缘层和所述平坦化层；所述像素单元还包括第一电极，所述第一电极的材料与所述公共电极的材料相同，所述第一电极包括填充在所述第一左过孔中的第一左电极、填充在所述第一右过孔中的第一右电极和连接所述第一左电极和所述第一右电极的第一连接电极，所述第一连接电极位于所述平坦化层上方。

优选地，所述第二过孔包括第二左过孔、第二右过孔，所述第二左过孔位于所述薄膜晶体管的有源层上方，且所述第二左过孔贯穿所述栅绝缘层和所述平坦化层，所述第二右过孔位于所述像素电极的上方，且所述第二右过孔贯穿所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述平坦化层；所述像素单元还包括第二电极，所述第二电极的材料材料与所述公共电极的材料相同，所述第二电极包括填充在所述第二左过孔中的第二左电极、填充在所述第二右过孔中的第二右电极和连接所述第二左电极和所述第二右电极的第二连接电极，所述第二连接电极位于所述平坦化层上方。

作为本发明的另一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板的栅线和数据线互相交错将所述阵列基板划分为多个像素区域，每个所述像素区域中均设置有所述像素单元，其中，所述像素单元中为本发明所提供的上述像素单元，在每个所述像素区域中，所述薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线电连接，所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线电连接。

优选地，在每个所述像素区域中，所述数据线的至少一部分形成为所述薄膜晶体管的源极，所述栅线的至少一部分形成为所述薄膜晶体管的栅极。

优选地，所述薄膜晶体管的有源层包括间隔设置的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区均位于对应的所述栅线下方。

作为本发明的在一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，其中，所述制造方法包括以下步骤：

形成包括多条数据线和薄膜晶体管的源极图形；

一体形成包括所述薄膜晶体管的漏极和像素电极的图形；