[发明专利]高场不对称离子迁移管有效

专利信息
申请号: 201310683904.4 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103646844B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 谭政;聂蓉 申请(专利权)人: 北京声迅电子股份有限公司
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李相雨
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 不对称 离子 迁移
【权利要求书】:

1.一种高场不对称离子迁移管,其特征在于,包括:高场不对称电极板、电离源、标准物参照筒和检测电极;

所述高场不对称电极板包括外管和内管,外管接地,内管接高场不对称信号,外管和和内管之间形成气流通道,所述气流通道被前后延伸的隔离物分隔为样品通道和内标物通道,内管开设有连通内标物通道的通孔;

所述电离源包括外电离源和内电离源,外电离源套设于外管的前端,内电离源置于内管之中;

所述标准物参照筒置于内管之中并在所述内电离源之前;

所述样品通道和内标物通道的后端都设置有检测电极;还包括偏转电极,所述偏转电极置于与所述检测电极相对的位置,接负电位使得其电位低于检测电极,使得离子偏转打到检测电极上。

2.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述隔离物为聚四氟乙烯塑料。

3.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述电离源为放射性电离源和紫外光电离源。

4.根据权利要求3所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述放射性电离源为Ni63放射源。

5.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述标准参照筒包括由表面涂有微量TNT炸药的金属网卷成的多层网状结构以及金属外筒。

6.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述检测电极为两个圆弧形金属片,分别放置在内标物通道和样品通道中。

7.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,所述偏转电极为圆柱式金属环。

8.根据权利要求1所述的高场不对称离子迁移管,其特征在于,在外管的末端还包括气泵接口,用于连接抽气泵。

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