[发明专利]一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法

权利要求书

1.一种切割槽形成可控硅穿通结构，其特征在于：该结构包括划切槽、穿通区和P^-短基区，所述穿通区位于该结构的四周，所述每个穿通区的上下部对称的设有划切槽，所述P^-短基区位于该结构的上下两端，上端的P^-短基区的上侧设有N⁺磷区，所述上端的P^-短基区与穿通区之间设有玻璃钝化层，所述玻璃钝化层上侧设有台面槽。

2.一种切割槽形成可控硅穿通结构的方法，包括选材、氧化、光刻穿通槽、短基区扩散、光刻阴极和阴极扩散步骤，其特征在于：在光刻穿通槽与短基区扩散步骤之间增加有切割槽步骤，在阴极扩散步骤之后的工艺包括有光刻台面槽、化学腐蚀台面槽、玻璃钝化和正面蒸铝步骤，

    所述切割槽步骤为：使用砂轮划片机对可控硅进行双面切割，切割槽完全对准穿通光刻图形，形成正背面对称的宽度20-30μm、深度77±2μm的槽；

    所述阴极扩散步骤之后的工艺：光刻可控硅的台面槽，接下来使用冰乙酸、氢氟酸和硝酸的比例为1.5:3:10配置而成的化学腐蚀液对台面槽进行腐蚀，控制温度为0-3℃，腐蚀槽深60-85μm，接下来使用玻璃粉对可控硅进行刮涂并在扩散炉中温度为730±20℃时进行烧结使玻璃钝化，接下来使用引线孔板进行光刻引线孔，然后使用电子束蒸发台进行蒸铝，再使用铝反刻版进行光刻，在温度为490±20℃中放置0.5±0.2h合成铝合金，然后使用高真空电子束蒸发Ti-Ni-Ag三层金属使其背面金属化，三层金属的厚度分别为：Ti=600-1000 ?、Ni=3000-6000 ?、Ag=6000-18000 ?，最后使用分立器件对可控硅片进行测试，然后将硅片划透，蓝膜划切1/4-1/3厚度，最后进行芯片包装。