[发明专利]一种高温压控振荡器

权利要求书

1.一种高温压控振荡器，包括选频及正反馈网络和放大器，其特征在于：所述选频及正反馈网络包括电感器、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器和第五电容器，其中，第五电容器为可变电容，第一电容器的一端连接第五电容器的一端，第一电容器的另一端连接第二电容器的一端，第二电容器的另一端连接第三电容器的一端，第三电容器的另一端连接第四电容器的一端，第四电容器的另一端连接第五电容器的另一端，电感的一端连接在第一电容器、第二电容器之间，电感的另一端连接在第四电容器、第五电容器之间，第五电容器的另一端连接直流电源的负极； 

所述放大器包括基于宽禁带半导体材料的第一半导体场效应晶体管和第一电阻；第一半导体场效应晶体管的栅极连接在选频及正反馈网络的第三电容器、第四电容器之间，第一半导体场效应晶体管的漏极连接直流电源正极，第一半导体场效应晶体管的源极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到选频及正反馈网络的第四电容器的另一端，第一电阻的一端还连接在选频及正反馈网络的第三电容器、第四电容器之间。

2.根据权利要求1所述的高温压控振荡器，其特征在于：所述第一半导体场效应晶体管为SiC半导体场效应管。

3.根据权利要求1所述的高温压控振荡器，其特征在于：所述第五电容器用GaN LED替代。

4.根据权利要求1所述的高温压控振荡器，其特征在于：所述高温压控振荡器采用低温共烧陶瓷工艺制成电路板。

5.根据权利要求1所述的高温压控振荡器，其特征在于：还包括源级跟随器，该源级跟随器包括第二半导体场效应晶体管和第二电阻，第二半导体场效应晶体管的漏极连接第一半导体场效应晶体管的漏极，第二半导体场效应晶体管的栅极连接至第一半导体场效应晶体管的源级，第二半导体场效应晶体管的源级连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接第一电阻的另一端。

6.根据权利要求1或5所述的高温压控振荡器，其特征在于：还包括偏置电路，该电路包括第三电阻和第四电阻，第三电阻的一端连接在第一半导体场效应晶体管的漏极与直流电源正极之间，第三电阻的另一端连接第四电阻的一端，第三电阻的另一端连接至第二电容与第一电容之间，再与第四电阻的一端连接，第四电阻的另一端连接在第四电容和电感之间。

7.根据权利要求5所述的高温压控振荡器，其特征在于：所述第二半导体场效应晶体管为SiC半导体场效应管。