[发明专利]高亮度有机发光二极管显示器

说明书

本申请要求2012年12月12日提交的韩国专利申请No.10-2012-0144813的优先权，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种高亮度有机发光二极管显示器。本发明尤其涉及一种通过增加阳极电容及有机发光二极管自身的电容来实现低功耗的高亮度有机发光二极管显示器。

背景技术

目前，多种平板显示装置已被开发出来，用于克服阴极射线管的例如重量大、体积大的许多缺陷。平板显示装置包括液晶显示装置（LCD）、场致发射显示器（FED）、等离子显示面板（PDP）和电致发光装置（EL）。

根据发光材料，电致发光显示装置分类为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致发光显示装置的优点是反应速度非常快，亮度非常高，且可视角度大。

图1为显示有机发光二极管结构的示意图。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此相对的阴极和阳极，有机发光材料层位于阴极和阳极之间。有机发光材料层包括空穴注入层HIL，空穴传输层HTL，发射层EML，电子传输层ETL和电子注入层EIL。由于在激发态中空穴和电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。

由于在激发态中来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。如图1中所示，通过控制有机发光二极管的发射层EML所产生和发出的光量（或“亮度”），有机发光二极管显示器可以呈现视频数据。

使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器（OLED）可分类为无源矩阵型有机发光二极管显示器（PMOLED）和有源矩阵型有机发光二极管显示器（AMOLED）。

通过利用薄膜晶体管（TFT）控制提供给有机发光二极管的电流，有源矩阵型有机发光二极管显示器（AMOLED）显示视频数据。

图2为显示有源矩阵型有机发光二极管显示器（AMOLED）中的一个像素的结构的示例性电路图。图3为显示AMOLED中的一个像素的结构的平面图。图4为显示AMOLED的结构的沿切割线I-I’的截面图。

参考图2和3，底部发光型的有源矩阵发光二极管显示器包括：开关薄膜晶体管ST，与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT，以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。通过布置在基板SUB上的扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定像素区域。有机发光二极管OLED形成于一个像素区域中，从而在该像素区域内限定发光区域。

开关薄膜晶体管ST形成于扫描线SL和数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择与该开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分岔的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体通道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动由开关薄膜晶体管ST所选择的像素上布置的有机发光二极管OD的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体通道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。

参考图4，在底部发光型有源矩阵有机发光二极管显示器的基板SUB上，分别形成开关薄膜晶体管ST的栅极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。在栅极SG和DG上沉积有栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的栅极绝缘层GI上，分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此相对且互相分离的源极SS和DS以及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。

钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。在此后形成的阳极ANO区域形成滤色器CF。应当使滤色器CF形成为具有尽可能大的面积。例如，在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL所包围的像素区域中，滤色器CF应当具有最大化的面积。

具有滤色器CF的基板的上表面并不平坦和/或光滑，而是不平坦的和/或凹凸不平的且具有多个阶梯（steps）。为使有机发光二极管显示器在整个显示区域具有良好的发光性能，有机发光层OLE应形成于平坦或光滑的表面上。因此，为使上表面平坦和平滑，在基板SUB的整个表面上沉积保护层OC。

然后，在保护层OC上，形成有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD通过穿透保护层OC和钝化层PAS的接触孔连接。