[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

一般而言，显示装置采用高频驱动（60Hz，120Hz等）时，大的存储电容Cst会影响充电率，所以Cst需要设计成较小值；但是采用低频驱动（30Hz以下，一般为10Hz，5Hz驱动）时，电压保持率(voltage holding ratio，VHR)依赖Cst的大小，如果Cst过小VHR不能维持正常值，所以低频驱动时需要较大的Cst。举例而言，如果将60Hz驱动时像素的Cst设为1，那么采用6Hz（即驱动频率变为原来的1/10）的低频驱动时大概需要将近10倍的Cst。所以，如果将高频驱动的显示装置换成低频驱动，会导致VHR降低，故为了适应高频或低频驱动，一般针对不同驱动频度，分别对像素进行设计。具体来说，高频驱动时为了使充电率符合设计要求，设计小的像素电极以减少Cst；而低频驱动时，将像素电极设计成大的以确保更大的Cst，但缺点是，高频驱动时像素电极小，开口率也会相应减小。

一种新型ADS模式显示装置的结构如图1所示，由彩膜基板10和ADS阵列基板20对盒而成，彩膜基板10包括：基板11，设置在基板11上的彩膜层和公共电极13；ADS阵列基板20包括：基板21，设置在基板21上的像素电极22，像素电极22为狭缝电极，公共电极13为板式电极。图1所示新型ADS模式因Cst比较小，高频驱动时在充电率设计方面具有优势，但是同时也因Cst比较小，并不适合低频驱动。

其中，上面所述的ADS（Advanced-Super Dimensional Switching）模式，指高级超维场开关模式，简称ADS，其原理是：通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示装置，能够实现低频（低驻波）驱动，而且不会因此导致开口率减少。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种显示装置，包括：相互对盒的第一基板和第二基板，所述第一基板包括：第一电极层，所述第二基板包括：第二电极层，所述第一基板还包括：第三电极层，设置在所述第一电极层的远离所述第二基板的一侧，且，所述第三电极层与所述第一电极层之间夹设有绝缘层；所述第三电极层与所述第二电极层电连接。

优选地，所述第一基板为彩膜基板，所述绝缘层为彩膜层。

具体地，所述彩膜层包括：黑矩阵，以及由所述黑矩阵隔开的色阻块。

优选地，所述显示装置还包括具有导电性的隔垫物，所述第三电极层通过所述隔垫物与所述第二电极层电连接。

可选地，所述第一基板设置有贯穿所述第一电极层及所述绝缘层的过孔，所述隔垫物穿过所述过孔连接到所述第三电极层。

可选地，所述第二电极层设置有狭缝电极。

可选地，所述第二电极层为像素电极层，所述狭缝电极为像素电极。

可选地，所述第二基板上还设置有：与所述像素电极相连的薄膜晶体管；

所述第一电极层通过所述隔垫物与所述薄膜晶体管的漏极相连。

可选地，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第二电极层均为透明导电膜。

所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层的总厚度小于1000埃。

现有显示装置中，用于产生驱动电场的第一、第二电极层分别位于彩膜、阵列极板上，距离较远，Cst比较小，适合高频驱动；而本发明实施例提供的显示装置，在第一基板上设置有隔着绝缘层的有第一电极层和第三电极层；并且，将远离第二基板的第三电极层还与第二基板上的第二电极层电连接，这样，第二基板上的第二电极层与第一电极层形成第一电容C1st，第一电极层与第三电极层形成第二电容C2st，显示装置的存储电容Cst实际为C1st+C2st。因此，与现有技术相比，本实施例提供的显示装置存储电容大，适合低频驱动。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有的ADS模式显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图一；