[发明专利]半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

邻近所述半导体管芯设置第一模块化互连单元；

在所述第一模块化互连单元上形成导电凸块；

将底部填充点设置在所述半导体管芯上；以及

将半导体部件设置在所述半导体管芯和所述第一模块化互连单元上，其中所述底部填充点支撑所述半导体部件的第一侧，并且所述导电凸块支撑所述半导体部件的与所述第一侧相对的第二侧。

2.根据权利要求1的方法，还包括沿所述半导体管芯的第一和第二相邻侧以L形形成所述第一模块化互连单元。

3.根据权利要求1的方法，还包括邻近所述半导体管芯的与所述第一模块化互连单元相对的侧表面设置第二模块化互连单元。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第一模块化互连单元包括被形成通过芯衬底的多个导电通孔。

5.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述半导体管芯以及所述第一模块化互连单元上形成绝缘层；以及

在所述第一模块化互连单元上形成通过所述绝缘层的多个通孔。

6.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体管芯；

将所述第一半导体管芯直接设置在载体上；

邻近所述第一半导体管芯将第一模块化互连单元直接设置在所述载体上；

将密封剂沉积在所述第一半导体管芯和所述第一模块化互连单元上；

在沉积所述密封剂之后移除所述载体；以及

在移除所述载体之后将第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯和所述第一模块化互连单元上，其中所述第一半导体管芯延伸到所述第二半导体管芯的覆盖区之外。

7.根据权利要求6的方法，还包括：

在所述第一半导体管芯和所述第一模块化互连单元上形成第一导电层。

8.根据权利要求6的方法，其中所述第一模块化互连单元包括：

被形成通过芯衬底的多个导电通孔。

9.根据权利要求6的方法，其中所述第一模块化互连单元包括沿所述第一半导体管芯的第一和第二相邻侧设置的L形。

10.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

第一模块化互连单元，其是邻近所述半导体管芯设置的；

导电凸块，其被设置在所述第一模块化互连单元上；

底部填充材料，其被设置在所述半导体管芯上；以及

半导体部件，其被设置在所述半导体管芯和所述第一模块化互连单元上以及在所述第一模块化互连单元和所述半导体管芯的覆盖区内，其中所述半导体管芯延伸到所述半导体部件的覆盖区之外，并且其中所述底部填充材料在所述半导体管芯上支撑所述半导体部件的第一侧，并且所述导电凸块在所述第一模块化互连单元上支撑所述半导体部件的第二侧。

11.根据权利要求10的半导体器件，其中所述第一模块化互连单元包括：

衬底；以及

在所述衬底中形成的多个导电通孔。

12.根据权利要求10的半导体器件，其中所述第一模块化互连单元包括L形。

13.根据权利要求10的半导体器件，还包括：第二模块化互连单元，其是邻近所述半导体管芯的与所述第一模块化互连单元相对的侧设置的。

14.根据权利要求10的半导体器件，还包括：互连结构，其是在所述第一模块化互连单元上与所述半导体部件相对地形成的。