[发明专利]一种ITiO靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201310669031.1 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103819177A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 黄誓成;何建进;陆映东 | 申请（专利权）人： | 广西晶联光电材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韦微 |
| 地址： | 545036 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 itio 制备 方法 | ||
1.一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）将TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体均匀混合得到ITiO粉体，ITiO粉体中TiO2的含量为0.5-5wt%，然后添加ITiO粉体质量1%-5%的粘结剂PVA进行造粒；
（2）将ITiO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/ min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，
（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/ min的升温速率升温，至1350～1550℃保温烧结6～12小时，之后按降温速率0.75～1℃/ min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到ITiO靶材。
2.根据权利要求1所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的第一次成型是在液压机中压制成型，第二次成型是在冷等静压机中压制成型。
3.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的烧结是在常压烧结炉的氧气氛围中进行烧结。
4.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的烧结的升温速率为0.3-1℃/ min。
5.如权利要求1或2所述的一种ITiO靶材的制备方法，其特征在于：所述的TiO2纳米粉体与In2O3纳米粉体的纯度为99.99%以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西晶联光电材料有限责任公司，未经广西晶联光电材料有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310669031.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
