[发明专利]制造光纤预制品用的中空玻璃衬底管的内表面的活化方法

权利要求书

1.一种制造光纤预制品用的中空玻璃衬底管的内表面的活化方法，其中，所述活化是在开始沉积工艺之前的所述中空玻璃衬底管的预处理，所述方法包括以下步骤：

i)通过PCVD工艺，将多个活化玻璃层沉积在所述中空衬底管的所述内表面上；其中所述活化玻璃层的厚度为至少10微米且至多250微米；

ii)通过蚀刻工艺至少部分地除去在步骤i)中沉积的活化层，其中在步骤i)中沉积的活化玻璃层被除去到至少30％且至多100％的程度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻工艺是采用蚀刻气体的等离子体蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻气体为含氟蚀刻气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述含氟蚀刻气体包括无氢的氟化化合物和载气。

5.根据权利要求2～3任一项所述的方法，其中所述蚀刻气体选自如下组成的组：CCl₂F₂、CF₄、C₂F₆、SF₆、F₂和SO₂F₂，或其组合。

6.根据权利要求2～3任一项所述的方法，其中所述蚀刻气体包括载气，所述载气选自如下组成的组：氧气、氮气或氩气。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述载气选自如下组成的组：氧气、氮气或氩气。

8.根据权利要求3～4任一项所述的方法，其特征在于所述含氟蚀刻气体是至少O₂和C₂F₆和/或SF₆的混合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤i)的PCVD工艺中使用未掺杂的玻璃形成气体。

10.根据前述权利要求9所述的方法，其中使用至少O₂和SiCl₄的混合物作为所述未掺杂的玻璃形成气体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤i)中沉积的活化玻璃层的厚度为至少25微米。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤i)中沉积的活化玻璃层的厚度为至少50微米。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤i)中沉积的活化玻璃层的厚度为至多125微米。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤i)中沉积的活化玻璃层的厚度为至多75微米。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤ii)期间，在步骤i)中沉积的活化玻璃层被除去到至少40％的程度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤ii)期间，在步骤i)中沉积的活化玻璃层被除去到至少50％的程度。

17.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤ii)期间，在步骤i)中沉积的活化玻璃层被除去到至多90％的程度。

18.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤ii)期间，在步骤i)中沉积的活化玻璃层被除去到至多80％的程度。