[发明专利]一种混合式厌氧反应器在审

专利信息
申请号: 201310666623.8 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN103626292A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 周耀水;夏俊方;肖龙博;胡君杰 申请(专利权)人: 上海晶宇环境工程有限公司
主分类号: C02F3/28 分类号: C02F3/28
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 200434 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 混合式 反应器
【说明书】:

技术领域

发明属于废水的厌氧处理技术领域,具体讲就是涉及一种能够提高布水的均匀性、避免内部管路结垢的混合式厌氧反应器。

背景技术

随着人们生活水平的提高,生产和生活产生了大量的废水,水是不可再生资源,地球表面虽然70%的面积被水覆盖,但是真正能供人类使用的淡水资源却十分有限。据报道,全世界现在很多地方都出现了“水危机”,其实,人类不是真正的缺水,只是缺少人类可使用的健康的水资源,如焦化废水、垃圾渗滤液等具有成分复杂、有机物含量高等特点,这些废水直接排放都会造成严重污染。因此,对废水进行处理,减少或避免对环境的污染具有重要意义。

近20年来,随着微生物学、生物化学等学科的发展和工程实践经验的积累。各种用于废水处理的厌氧处理工艺等到广泛应用,废水厌氧处理是废水生物处理法的一种,是利用厌氧微生物以降解废水中的有机污染物,其主要有上流式厌氧污泥床、厌氧滤池和上流式厌氧污泥床滤池。

采用厌氧法处理高浓度有机废水,其优越性逐步得到人们的普遍重视,近年来厌氧处理技术得到快速发展,其中,升流式厌氧污泥床处理工艺设备以其构造简单、处理效率高、效果好、适用范围广、占地面积小、处理成本低、投资省而被大量采用。

如附图1所示,传统的升流式厌氧污泥床厌氧反应器的三相分离器位于反应器顶部并将反应器分为下部的反应区和上部的沉淀区,废水从反应器底部进入,与污泥接触发生厌氧反应,反应过程产生沼气(主要是甲烷和二氧化碳),经三相分离器分离后,沼气从集气室排出系统,污泥沉淀到反应区继续反应,出水从集水槽排出系统,达到去除水中污染物的目的。这种传统的UASB厌氧反应器对高浓度有机废水的去除效率高,但仍存在以下缺陷:

(1)布水不均匀:管道布水方式增加了布水的不均匀性,致使与污泥混合不充分,易产生局部酸化现象,厌氧反应效率低;

(2)内部管路容易结垢或堵塞:由于有机废水中一般含有较高的硬度、碱度、硫酸根等离子,这些离子易结合水中其他离子形成难溶沉淀物质,而此装置进水采用的是从底部管道进水,这些难溶物质沉淀到管路内壁后形成污垢,堵塞管路,很难被清除,增加维护检修成本。

发明内容

本发明的目的是针对现有的厌氧反应器布水不均匀、厌氧反应效率低、内部管路容易结垢堵塞的技术缺陷,本发明提供的混合式厌氧反应器,在传统水处理工艺上进行改进,提高了布水的均匀性、避免内部管路结垢、缓解了出水跑泥的难题,整个装置结构简单,安装维修方便。

技术方案

为了实现上述技术目的,本发明设计一种混合式厌氧反应器,它包括厌氧反应器本体,其特征在于:所述厌氧反应器本体设置导流槽,导流槽与外界相通,导流槽下方位于厌氧反应器本体底部安装有搅拌机,厌氧反应器本体内腔中位于搅拌机上方设有三相分离器,三相分离器的气体输出端连接有集气管,集气管伸出厌氧反应器本体,厌氧反应器本体上位于三相分离器下方搅拌机上方位置开有取水口,取水口连接有循环泵,循环泵输出端连接回导流槽;

所述厌氧反应器本体上位于三相分离器上方设有集水槽。

所述厌氧反应器本体底部设有厌氧污泥反应层。

所述取水口位于厌氧反应器本体下表面以上1/3~1/2处。

有益效果

本发明提供的混合式厌氧反应器,在传统水处理工艺升流式厌氧污泥床的基础上进行改进,提高了布水的均匀性、避免内部管路结垢、缓解了出水跑泥的难题,整个装置结构简单,安装维修方便。

附图说明

附图1是现有的厌氧反应器结构示意图。

附图2是本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图2和实施例,对本发明做进一步说明。

实施例

如附图2所示,一种混合式厌氧反应器,它包括厌氧反应器本体1,其特征在于:所述厌氧反应器本体1设置导流槽101,导流槽101与外界相通,导流槽101下方位于厌氧反应器本体1底部安装有搅拌机2,厌氧反应器本体1内腔中位于搅拌机2上方设有三相分离器3,三相分离器3的气体输出端连接有集气管4,集气管4伸出厌氧反应器本体1,厌氧反应器本体1上位于三相分离器3下方搅拌机2上方位置开有取水口102,取水口102连接有循环泵5,循环泵5输出端连接回导流槽101;

所述厌氧反应器本体1上位于三相分离器3上方设有集水槽6。

所述厌氧反应器本体1底部设有厌氧污泥反应层103。

所述取水口102位于厌氧反应器本体1下表面以上1/3~1/2处。

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