[发明专利]集成结和接触件的形成以形成晶体管

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体区域上方形成栅极堆叠件；

在所述半导体区域上方沉积杂质层；

在所述杂质层上方沉积金属层；以及

实施退火，其中，所述杂质层中的元素通过所述退火扩散进所述半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域，并且所述金属层与所述半导体区域的所述一部分的表面层反应以在所述源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述退火的步骤之前，没有额外的重掺杂源极/漏极区域形成在所述半导体区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在沉积所述杂质层之前，在所述半导体区域的顶面上实施预清洗以去除在所述半导体区域的顶面上形成的自然氧化物。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括，在所述预清洗之前：

在半导体衬底中形成浅沟槽隔离（STI）区域；

去除所述半导体衬底的顶部以形成凹槽，其中，所述顶部位于所述STI区域的相对部分之间；以及

在所述凹槽中实施外延以再生长半导体材料，从而形成所述半导体区域。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

使所述STI区域凹进，其中，所述半导体区域位于凹进的所述STI区域之间的部分形成半导体鳍，并且所述栅极堆叠件形成在所述半导体鳍的顶面和侧壁上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述杂质层包括将工艺气体引入腔室内，包含所述半导体区域的晶圆设置在所述腔室中，并且在沉积所述杂质层的过程中，没有等离子体产生。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述杂质层包括将工艺气体引入腔室内，包含所述半导体区域的晶圆设置在所述腔室中，并且在沉积所述杂质层的过程中，由所述工艺气体产生等离子体。

8.一种方法，包括：

在生产工具中，将杂质层形成在半导体晶圆的半导体区域上方，其中，所述晶圆包括位于所述半导体区域上方的栅极堆叠件；

在所述生产工具中，将金属层沉积在所述杂质层上方并与所述杂质层接触，其中，在从开始形成所述杂质层至完成沉积所述金属层的时间段内，所述生产工具保持真空；以及

实施退火，其中，所述杂质层中的元素扩散进所述半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域，并且所述金属层与所述半导体区域的所述一部分的表面层反应以在所述源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，当实施所述退火时，没有额外的保护层位于所述金属层上方。

10.一种方法，包括：

在半导体区域上方形成栅极堆叠件；

对所述半导体区域的表面实施预清洗；

将杂质层沉积在所述半导体区域的所述表面上并与所述半导体区域的所述表面物理接触，其中，所述杂质层包括配置以将所述半导体区域转变为p型或者n型的杂质；

将金属层沉积在所述杂质层上并与所述杂质层接触；以及

实施退火，其中，所述杂质层中的元素扩散进所述半导体区域的一部分内以在所述半导体区域中形成源极/漏极区域，并且所述金属层与所述半导体区域的所述一部分的表面层反应以在所述源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域，并且在所述退火过程中，没有额外的保护层形成在所述金属层上方。