[发明专利]通孔填充方法在审
| 申请号： | 201310661878.5 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701244A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 填充 方法 | ||
1.一种通孔填充方法，其特征在于，包括：
提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；
按照1:1体积比例通入WF
通入缓冲气体SiH
按照3:1体积比例通入WF
2.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第一次反应的持续时间为3-10s。
3.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述缓冲气体的流量为10-100sccm，持续时间为10-30s。
4.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第二次反应的持续时间为5-20s。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的通孔填充方法，其特征在于，所述进行第一次反应、通入缓冲气体及进行第二次反应所处温度范围是400-500℃。
6.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，在按照3:1体积比例通入WF
在通孔中形成金属块。
7.如权利要求6所述的通孔填充方法，其特征在于，所述金属块的材料为钨，采用WF
8.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，还包括：
确保提供气体的喷淋头出气孔的直径小于等于430μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
