[发明专利]利用二次阳极氧化铝模板制备FeMn纳米线的方法无效
申请号: | 201310660972.9 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103614745A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 张卫国;王宏智;姚素薇 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25C5/02 | 分类号: | C25C5/02;B82Y40/00;B82Y25/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 二次 阳极 氧化铝 模板 制备 femn 纳米 方法 | ||
1.一种利用二次阳极氧化铝模板制备磁性纳米线的方法;其特征是将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中,控电位沉积FeMn纳米线,沉积电位为-0.95~-1.15V,电解液温度为20~30℃,电解液pH值为3.0~4.0;然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗,放入烘箱烘干后,得到FeMn纳米线。
2.如权利要求1所述的方法,其特征是所述的电解液为:FeSO4·7H2O60~100g/L,MnSO4·H2O80~120g/L,(NH4)2SO420~80g/L,C6H5Na3O7·2H2O20~100g/L。
3.如权利要求1所述的方法,其特征是所述的FeMn纳米线,直径为80~120nm,长度为1~40μm。FeMn纳米线组成按原子百分比计:Fe45~55%、Mn45~55%。
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