[发明专利]栅氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 201310660778.0 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701155A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 翟志刚;高文文;李凌云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
1.一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽；
将所述半导体衬底放入炉管内，通入氧气，在所述沟槽的侧壁及底部形成第一栅氧化层；
向炉管中通入氮气，并升高炉管的温度；
向炉管中通入氧气与催化气体，在第一栅氧化层上形成第二栅氧化层。
2.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述第一栅氧化层的厚度为
3.如权利要求2所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，形成第一栅氧化层的炉管温度为800℃～850℃。
4.如权利要求3所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，形成第一栅氧化层的氧气的流量大于等于10升每分钟。
5.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，向炉管中通入氮气的步骤中，所述炉管的最终温度为1000℃～1100℃。
6.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述催化气体为含氯气体。
7.如权利要求6所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述含氯气体为氯化氢和/或C2H4Cl2。
8.如权利要求7所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述含氯气体的流量为0.2升每分钟～0.8升每分钟。
9.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，形成第二栅氧化层的氧气的流量大于等于10升每分钟。
10.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述第一栅氧化层与第二栅氧化层的厚度之和大于
11.如权利要求10所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述沟槽侧壁的厚度与沟槽底部的厚度的差异小于30%。
12.如权利要求1～11中任意一项所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于2:1。
13.如权利要求1～11中任意一项所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，刻蚀所述半导体衬底形成沟槽，被刻蚀的一面为<100>晶格。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310660778.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
