[发明专利]用于含铜金属层的蚀刻剂组合物及制造阵列基板的方法

权利要求书

1.一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，包括：5重量%至25重量%的过氧化氢；0.1重量%至5重量%的在分子中具有N-H键和羧基的水溶性化合物；0.1重量%至10重量%的二乙烯三胺五乙酸或其盐；和余量的水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述含铜金属层包括铜或铜合金单层、具有钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜-钼层、具有钼合金层和在所述钼合金层上形成的铜层的铜-钼合金层、或具有金属氧化物层和在所述金属氧化物层上形成的铜层的铜-金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述具有N-H键和羧基的水溶性化合物选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、和肌氨酸中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述二乙烯三胺五乙酸盐为二乙烯三胺五乙酸五钠盐。

5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括磷酸盐化合物。

6.根据权利要求5所述的蚀刻剂组合物，其中，所述磷酸盐化合物选自磷酸钠、磷酸钾、和磷酸铵中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的所述磷酸盐化合物的量为0.1重量%至5重量%。

8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括无氮的有机酸。

9.根据权利要求8所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无氮的有机酸选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、和草酸中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的所述无氮的有机酸的量为0.1重量%至5重量%。

11.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括水溶性环胺化合物。

12.根据权利要求11所述的蚀刻剂组合物，其中，所述水溶性环胺化合物选自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、和吡咯啉中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的所述水溶性环胺化合物的量为0.1重量%至5重量%。

14.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括含氟化合物。

15.根据权利要求14所述的蚀刻剂组合物，其中，所述含氟化合物选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、和氟化氢钾中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的所述含氟化合物的量为0.01重量%至1重量%。

17.一种蚀刻含铜金属层的方法，包括：

（I）在基板上形成含铜金属层；

（II）选择性地在所述含铜金属层上留下光反应型材料，以露出所述含铜金属层的一部分；和

（III）使用根据权利要求1至16中任一项所述的蚀刻剂组合物，蚀刻所述被露出的含铜金属层。

18.一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：

（a）在基板上形成栅极导线；

（b）在所述基板上形成栅极绝缘层，所述基板具有在所述基板上形成的所述栅极导线；

（c）在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

（d）在所述半导体层上形成源极导线和漏极导线；和

（e）形成与所述漏极导线连接的像素电极，

其中，所述（a）过程包括：在所述基板上形成含铜金属层，和使用根据权利要求1至16中任一项所述的蚀刻剂组合物，蚀刻所述含铜金属层，以形成所述栅极导线，和

所述（d）过程包括：在所述基板上形成含铜金属层，和使用根据权利要求1至16中任一项所述的蚀刻剂组合物，蚀刻所述含铜金属层，以形成所述源极导线和漏极导线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述用于液晶显示器的阵列基板为薄膜晶体管TFT阵列基板。