[发明专利]一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种硅酸铝镓铌钙压电晶体，其特征在于：其化学通式为Ca₃NbAl_(3-x)Ga_xSi₂O₁₄，其中，0.05＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。

2.如权利要求1所述的硅酸铝镓铌钙压电晶体，其特征在于：1≤x≤1.5。

3.一种如权利要求1或2所述的硅酸铝镓铌钙压电晶体的制备方法，其特征在于：

为提拉生长法。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：

a)按Ca₃NbAl_(3-x)Ga_xSi₂O₁₄的化学计量比称取CaCO₃、Nb₂O₅、Al₂O₃、Ga₂O₃和SiO₂各粉体，混匀后压块，然后在1100～1300℃下烧结，得到Ca₃NbAl_(3-x)Ga_xSi₂O₁₄多晶料；

b)将CTGS籽晶和步骤a)中获得的多晶料装入坩埚中，以150～250℃/小时的升温速率加热至1300～1600℃，待多晶料熔化后，保温使熔体状态稳定，然后降温至下种温度，开始进行晶体生长：控制转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.1～5毫米/小时；

c)生长结束后将晶体脱离熔体，将晶体降温至室温。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤b)中的加温方式是采用中频感应电源加热。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤b)中所述的坩埚为铂坩埚或铱坩埚。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤c)中的降温速率为30～120℃/小时。