[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法在审
| 申请号： | 201310655056.6 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN104701161A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 李昊;刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型肖特基 二极管 制备 工艺 方法 | ||
1.一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
步骤1：参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺，在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填充，然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻；
步骤2：沉积一层层间介质膜，开始形成接触孔；
步骤3：利用干法刻蚀工艺，将接触孔先刻蚀至硅表面，然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀；
步骤4：刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面；
步骤5：然后沉积一层金属，从而形成肖特基接触；
步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻，刻蚀工艺形成金属连接。
2.根据权利要求1所述沟槽型肖特基二极管制备工艺，其特征在于：步骤2中，所述层间介质膜为氧化硅。
3.根据权利要求1所述沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，其特征在于：步骤3中，接触孔刻蚀分为两步，第一步利用氧化硅对硅刻蚀选择比高的刻蚀菜单将层间介质膜刻蚀，停在硅表面；第二步切换另一个刻蚀菜单，利用硅和氧化硅刻蚀选择比1：1的菜单进行刻蚀，将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀，刻蚀深度大于1000埃。
4.根据权利要求1所述沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，其特征在于：步骤4中，利用硅对氧化硅高选择比的刻蚀菜单仅刻蚀硅，使沟槽内的氧化硅突出硅平面，突出高度在500埃以上。
5.根据权利要求1所述沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，其特征在于：步骤5中，所述沉积金属是钛，氮化钛或者两者的复合金属，所述金属的厚度为100-2000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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