[发明专利]一种紫外响应稀土光转换膜及其用途在审
| 申请号: | 201310653331.0 | 申请日: | 2013-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN103745981A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
| 发明(设计)人: | 朱艺敏;李阳;谢国威 | 申请(专利权)人: | 广东普加福光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;C09K11/77 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑莹 |
| 地址: | 529020 广东省江*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 响应 稀土 转换 及其 用途 | ||
1.一种紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述稀土光转换膜是由稀土配合物或稀土配合物与高透光率的成膜材料组成的具有改变光波波长功能的光转换膜,该膜能将紫外光区的光转换到成像器件敏感的波段。
2.根据权利要求1所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,制备步骤如下:
1)将稀土元素与配体混合制备得到稀土配合物;
2)将稀土配合物和高透光率成膜材料混合均匀后,通过涂膜工艺在器件表面涂敷制得稀土光转换膜;
所述稀土配合物在高透光率成膜材料中的浓度为0.1~100%。
3.根据权利要求2所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述稀土元素包括铕或/和铽,或由铕或/和铽与其他稀土元素共同组成,且铕或铽的含量占配合物中稀土摩尔百分含量的60%以上。
4.根据权利要求2所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述配体为芳香羧酸类、含磺酸基的芳烃类、含羟基的芳烃类和杂环类有机物中的一种或几种。
5.根据权利要求2~4任一项所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述稀土配合物的制备步骤如下:
1)将稀土元素与配体混合;
2)往步骤1)所得的混合物中加入溶剂,混合均匀,所述溶剂为亚砜类、酰胺类、醇类有机物、水或重水中的至少一种;
3)搅拌下,调节步骤2)所得混合溶液的pH=5~8;
4)加热蒸干步骤3)所得溶液中的溶剂,即得稀土配合物。
6.根据权利要求2所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述高透光率成膜材料为聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类、聚氨酯类、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚碳酸酯等聚合物中的一种或几种。
7.根据权利要求1~6任一项所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,所述紫外响应稀土光转换膜两侧含有一层或多层高透光性的保护层或封装层,该保护层或封装层含有有机和/或无机材料,有机材料是聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类、聚氨酯类、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚碳酸酯等聚合物中的一种或几种,无机材料是玻璃、石英、硅胶等的一种或几种。
8.根据权利要求7所述的紫外响应稀土光转换膜,其特征在于,在紫外响应稀土光转换膜表面或其保护层或封装层表面可涂覆一层或多层量子点薄膜,所述量子点薄膜为专利申请公告号为CN102683369 A的发明专利中所述的量子点薄膜。
9.权利要求1~8任一项所述的紫外响应稀土光转换膜在紫外指纹成像中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述紫外响应稀土光转换膜可直接安装在CCD或CMOS等硅基成像器件的表面或其正前方或直接涂覆在其表面,安装光转换膜后的相机与紫外光源一起组成紫外成像系统,可直接用于紫外指纹成像中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





