[发明专利]平板显示器的背板及其制造方法在审
申请号: | 201310652820.4 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN104112751A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 姜一俊;曺煐美;金泰映;金洸淑 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/26;H01L29/41;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示器 背板 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于平板显示装置的背板,所述背板包括:
基板;
栅电极,位于所述基板上;
第一绝缘层,位于所述基板上并且用于覆盖所述栅电极;
半导体层,位于所述第一绝缘层上并且对应于所述栅电极;以及
源电极和漏电极,位于所述半导体层上并且电连接到所述半导体层的相应部分,
其中,所述半导体层包括铟、锡、锌和镓,并且镓的原子浓度为5%至15%。
2.如权利要求1所述的背板,其中,
所述半导体层通过使用包括铟、锡和锌的氧化物以及镓的目标经由溅射形成。
3.如权利要求1所述的背板,还包括:
第三绝缘层,位于所述第一绝缘层上并且用于覆盖所述源电极和所述漏电极,
其中,所述第三绝缘层具有暴露所述源电极或所述漏电极的一部分的第三孔。
4.如权利要求3所述的背板,还包括:
像素电极,位于所述第三绝缘层上,位于所述第三孔中,并且电连接到所述源电极或所述漏电极;
中间层,位于所述像素电极上并且包括有机发光层;以及
相对电极,经过所述中间层与所述像素电极相对。
5.如权利要求4所述的背板,还包括:
第四绝缘层,位于所述第三绝缘层上,覆盖所述像素电极的边缘,并且具有暴露所述像素电极的至少一部分的开口。
6.如权利要求1所述的背板,其中,
所述半导体层包括铟、锡和锌的氧化物。
7.如权利要求1所述的背板,还包括:
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层上,覆盖所述半导体层,并且具有暴露所述半导体层的一部分的第一孔和第二孔,
其中,所述源电极和所述漏电极分别位于所述第二绝缘层上并且位于所述第一孔和所述第二孔中。
8.一种用于平板显示装置的背板的制造方法,所述方法包括:
在基板上形成栅电极的第一掩模操作;
在所述基板上形成第一绝缘层以覆盖所述栅电极;
在所述第一绝缘层上形成半导体层以与所述栅电极相对应的第二掩模操作;
形成具有暴露所述半导体层的相应部分的第一孔和第二孔的第二绝缘层的第三掩模操作,所述第二绝缘层覆盖所述半导体层并且位于所述第一绝缘层上;以及
在所述半导体层上形成源电极和漏电极的第四掩模操作,所述源电极和所述漏电极电耦合到所述半导体层的相应部分,
其中,所述半导体层包括铟、锡、锌和镓,并且
其中,镓的原子浓度为5%至15%。
9.如权利要求8所述的方法,其中,
所述半导体层通过使用包括铟、锡和锌的氧化物以及镓的目标经由溅射形成。
10.如权利要求8所述的方法,还包括:
在所述第一绝缘层上形成第三绝缘层的第五掩模操作,所述第三绝缘层覆盖所述源电极和所述漏电极并且具有暴露所述源电极或所述漏电极的一部分的第三孔。
11.如权利要求10所述的方法,还包括:
在所述第三绝缘层上并在所述第三孔中形成像素电极的第六掩模操作,所述像素电极电耦合到所述源电极或所述漏电极。
12.如权利要求11所述的方法,还包括:
在所述第三绝缘层上形成第四绝缘层的第七掩模操作,所述第四绝缘层覆盖所述像素电极的边缘并且具有暴露所述像素电极的至少一部分的开口。
13.如权利要求8所述的方法,其中,
所述半导体层包括铟、锡和锌的氧化物。
14.如权利要求8所述的方法,其中,
所述源电极和所述漏电极分别形成在所述第二绝缘层上并且位于所述第一孔和所述第二孔中。
15.如权利要求14所述的方法,还包括:
在所述像素电极上形成中间层,所述中间层包括有机发光层;以及
形成相对电极,所述相对电极经过所述中间层与所述像素电极相对。
16.一种显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上的半导体层,所述半导体层包括铟、锡、锌和镓,
其中,镓的原子浓度为5%至15%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的