[发明专利]BCD工艺中纵向双极型晶体管

权利要求书

1.一种BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：纵向双极型晶体管形成硅衬底上，在所述硅衬底上形成有场氧，由所述场氧隔离出有源区；所述纵向双极型晶体管包括：

集电区，由形成于所述硅衬底上的第一导电类型深阱组成；

基区，由形成于所述第一导电类型深阱中的第二导电类型阱组成；

发射区，由形成于所述基区表面的第一导电类型轻掺杂注入区和第一导电类型重掺杂注入区叠加而成，所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的掺杂浓度大于第一导电类型轻掺杂注入区的掺杂浓度；

所述发射区的第一导电类型轻掺杂注入区覆盖一个所述有源区，令该有源区为第一有源区，所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的覆盖在所述第一有源区的中心区域，在所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的最外侧边缘和所述发射区的第一导电类型轻掺杂注入区的最外侧边缘之间的区域形成由第一导电类型轻掺杂注入区组成的高阻环，在所述发射区的表面形成有金属硅化物；所述高阻环定义出所述发射区的寄生电阻的大小并在所述纵向双极型晶体管的工作电流增加时形成负反馈效应，并利用该负反馈效应抑制所述纵向双极型晶体管的由正温度效应而产生的正反馈效应。

2.如权利要求1所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述发射区的面积为1×1微米²～50×50微米²。

3.如权利要求1所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述高阻环的宽度大于0微米小于等于10微米。

4.如权利要求1所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述纵向双极型晶体管为NPN三极管，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

5.如权利要求4所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述发射区的N型重掺杂注入区的离子注入的注入剂量为1E15CM^-2～5E15CM^-2,注入能量为50KEV～60KEV，注入杂质为砷或磷。

6.如权利要求4所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述发射区的N型轻掺杂注入区的离子注入的注入剂量为1E13CM^-2～9E14CM^-2,注入能量为2KEV～20KEV，注入杂质为砷或磷。

7.如权利要求1所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述纵向双极型晶体管为PNP三极管，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

8.如权利要求7所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述发射区的P型重掺杂注入区的离子注入的注入剂量为1E15CM^-2～5E15CM^-2,注入能量为5KEV～20KEV，注入杂质为硼或氟化硼。

9.如权利要求7所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述发射区的P型轻掺杂注入区的离子注入的注入剂量为1E13CM^-2～9E14CM^-2,注入能量为5KEV～40KEV，注入杂质为硼或氟化硼。

10.如权利要求1所述的BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：所述基区所覆盖的区域包括所述第一有源区以及和所述第一有源区相邻的第二有源区，在所述第二有源区的表面形成有第二导电类型重掺杂注入区，在该第二导电类型重掺杂注入区表面形成有金属硅化物，通过该金属硅化物和顶部的金属连接引出基极；所述集电区所覆盖的区域包括所述第一有源区、所述第二有源区以及和所述第二有源区相邻的第三有源区，在所述第三有源区中形成第一导电类型阱，在该第一导电类型阱的表面形成有第一导电类型重掺杂注入区，在该第一导电类型重掺杂注入区表面形成有金属硅化物，通过该第三金属硅化物和顶部的金属连接引出集电极。