[发明专利]用于电子应用的氮杂芘

权利要求书

1.一种电子器件，其包含下式的化合物：

其中

X¹为N或CH，

Y为O或NR²⁵，其中

R²⁵为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；

R²⁰⁶、R²⁰⁷和R²¹⁰相互独立地为H、C₁-C₁₈烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈烷氧基或被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₁-C₁₈全氟烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基、C₂-C₁₈链烯基、C₂-C₁₈炔基、C₇-C₂₅芳烷基、CN、或-CO-R²⁸，

R²⁸为H、C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基，

R¹、R²、R³相互独立地为H、C₁-C₁₈烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基，C₁-C₁₈烷氧基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基、或-L¹-NR^25’R^26’，其中：

u为0或1；v为0或1；

R²¹¹、R^211’、R²¹²和R^212’相互独立地为H、C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基，

R²¹³和R²¹⁴相互独立地为H或C₁-C₁₈烷基，

Ar¹为-NR^25’R^26’、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、或被G取代的C₂-C₂₀杂芳基；

L¹为单键或桥连单元BU，

D为-O-或-NR²⁵-，

E为-OR²⁹、-NR²⁵R²⁶、-CN或F；R²⁵和R²⁶相互独立地为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；或者R²⁵和R²⁶一起形成五或六元环或环体系；R²⁹为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基、或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；

G为E、C₁-C₁₈烷基、被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈全氟烷基、C₁-C₁₈烷氧基、或被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基；

R^25’和R^26’相互独立地为苯基、萘基、蒽基、联苯基、2-芴基、菲基或苝基，其可任选地被取代，或R^25’和R^26’与它们所键合的氮原子一起形成环体系。