[发明专利]一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法有效
| 申请号： | 201310652570.4 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103628133A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 于灵敏;范新会;韦建松;罗宇阳;陶彦龙;雷曼 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B7/10;C30B33/02 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 定向 生长 zno 纳米 水溶液 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法，其特征在于：
包括下述步骤：
a. ZnO种子层制备：
将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O 和Al(NO3)3.9H2O与体积比为1:1的乙二醇甲醚和乙醇组成的混合溶剂在室温条件下混合，使Zn2+浓度为0.05-0.5mol/L，放在水浴锅中，用磁力搅拌器在60-80℃下加热搅拌，然后，将稳定剂乙醇胺逐滴加入到上述溶液中，直至溶液完全澄清，继续搅拌1-2h，得均匀稳定的胶体；将依次经过丙酮、乙醇溶液和去离子水超声清洗，烘干后的ITO导电玻璃基板竖直浸入溶胶中，静止15-30s；垂直取出后在100℃下干燥5-10min；反复提拉干燥4-6次以使薄膜均匀并达到理想厚度；将薄膜在400-500℃下热处理30-90min，制备得到含有种子层的玻璃基底备用；
b. ZnO纳米墙生长
将Zn(NO3)26H2O与(CH3)6N4按摩尔比为1:1配制成0.025-0.05mol/L的溶液，60-90℃加热搅拌0.5-1h，将溶液倒入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中，并将含有种子层的玻璃基底垂直插入，80-100℃恒温生长1-6h；取出后用去离子水冲洗并干燥，最后放入箱式电炉中在500-550℃下热处理0.5-1.5 h；取出后，用去离子水冲洗、干燥，在ITO导电玻璃上得到一层白色薄膜。
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