[发明专利]硅片表面机械抛光的方法在审
| 申请号： | 201310648860.1 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104690607A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘官柱 | 申请（专利权）人： | 大连飞马文仪家俱有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 贾汉生 |
| 地址： | 116000 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 表面 机械抛光 方法 | ||
1.硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的方法步骤如下：
（1）将硅片试样先用酸性清洗液进行清洗，然后碱性清洗液进行清洗，然后再用酸性清洗液进行清洗，晾干；
（2）将步骤（1）所获得的硅片进行电火花削磨加工，时间为30-60分钟，然后将所获得的硅片表面用超声波研磨机进行抛光处理，超声波研磨机的转速为35000-40000转/分钟；
（3）将步骤（2）所获得的硅片用型号为400目，600目，800目，1000目，1200目的砂纸中的一种进行抛光处理，时间为20-40分钟；
（4）将步骤（3）所获得硅片先用抛光布轮进行抛光处理，然后用金刚石研磨膏进
行抛光处理，步骤（4）的时间为30分钟。
2.根据权利要求1所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（1）中的酸性清洗液为盐酸和过氧化氢按质量比5:1或4:1配比而成。
3.根据权利要求1所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（1）中的碱性清洗液为水、过氧化氢、氢氧化氨的质量比以5:2:1或7：2：1配比而成。
4.根据权利要求1所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中的超声波研磨机的转速为40000转/分钟。
5.根据权利要求1～4任意一项权利要求所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中的砂纸的型号为800目，1000目，1200目中的一种。
6.根据权利要求5所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中的砂纸的型号为1200目。
7.根据权利要求1所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（4）中的抛光布轮为3英寸，50层的抛光布轮。
8.根据权利要求1～7任意一项权利要求所述的硅片表面机械抛光的方法，其特征在于：所述的步骤（4）中的金刚石研磨膏为油溶性金刚石研磨膏。
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